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자체 선택 특성을 가지는 3층 저항변화 메모리

  • 기술번호 : KST2014039600
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자체 선택 특성을 가지는 저항변화 메모리가 개시된다. 저항변화 메모리를 구성하는 저항 변화층은 동종 재질이되, 상대적으로 산소 분율이 높은 산화막과 상대적으로 산호 분율이 낮은 산화막으로 구성된다. 또한, 저항 변화층을 관통하여 산소 공공이 밀집되는 전도성 채널이 형성된다. 전도성 채널은 바이어스 조건에 따라 계면에서의 산소 이온의 매립에 의해 단절되거나, 복구된다. 이를 통해 저 저항 또는 고 저항 상태가 실현된다. 또한, 특정 읽기 전압에 의해 서로 다른 고 저항 상태의 변화를 통해 읽기 동작이 가능하게 된다. 이를 통해 메모리 셀의 선택성은 향상되고, 인접한 셀들 사이의 누설전류는 방지된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100120842 (2010.11.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0059195 (2012.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 배윤철 대한민국 경상남도 거제시
3 곽준식 대한민국 경기도 의왕시 덕장로 ,
4 이아람 대한민국 경상남도 김해시 가야로번

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0789391-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1143779-46
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0921701-92
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0148973-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 동일 재질로 구성되고 전도성 채널의 형성과 소멸에 따른 상태변화와 상기 상태변화에 따른 자체 선택 특성을 가지는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상부에 형성되는 상부 전극을 포함하는 저항변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 채널은 산소 공공에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은, 상기 하부 전극 상에 형성된 제1 산소 결핍 산화막;상기 제1 산소 결핍 산화막 상부에 형성되고, 상기 제1 산소 결핍 산화막에 비해 낮은 산소 분율을 가지는 제2 산소 결핍 산화막; 및상기 제2 산소 결핍 산화막 상부에 형성되고, 상기 제2 산소 결핍 산화막보다 높은 산소 분율을 가지는 제3 산소 결핍 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 산소 결핍 산화막 내지 제3 산소 결핍 산화막은 산소 공공에 기인한 상기 전도성 채널의 형성에 의해 저저항 상태를 실현하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
5 5
제3항에 있어서, 상기 제1 산소 결핍 산화막 내지 제3 산소 결핍 산화막은 계면에서의 산소 공공의 매립에 기인한 전도성 채널의 단절에 의해 고저항 상태를 실현하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
6 6
제5항에 있어서, 상기 전도성 채널의 단절은 제1 산소 결핍 산화막 또는 제3 산소 결핍 산화막 내의 산소 이온이 상기 제2 산소 결핍 산화막의 계면의 산소 공공을 매립함에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
7 7
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 TiO2, MgO, NiO, ZnO 또는 HfO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
8 8
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 동종 재질로 구성되며, 상대적인 산소 분율이 상이한 막질들의 계면에서의 산소 공공의 매립 또는 산소 공공의 형성에 의해 상태변화가 수행되는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상부에 형성되는 상부전극을 포함하는 저항변화 메모리
9 9
제8항에 있어서, 상기 저항 변화층은,상기 하부 전극 상에 형성된 제1 산소 결핍 산화막;상기 제1 산소 결핍 산화막 상부에 형성되고, 상기 제1 산소 결핍 산화막에 비해 낮은 산소 분율을 가지는 제2 산소 결핍 산화막; 및상기 제2 산소 결핍 산화막 상부에 형성되고, 상기 제2 산소 결핍 산화막보다 높은 산소 분율을 가지는 제3 산소 결핍 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 산소 결핍 산화막 내지 제3 산소 결핍 산화막은 산소 공공의 정렬 또는 연결에 의해 형성된 전도성 채널을 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
11 11
제8항에 있어서, 상기 저항 변화층은 정바이어스 또는 부바이어스의 인가에 따라 전류가 급격히 증가하는 저항변화 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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