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브래그 반사기를 이용한 ＲＦ용 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014012248
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RF용 소자를 반도체 기판 위에 바로 형성한 경우 신호가 기판으로 흘러나가 소자의 성능이 떨어지는 문제점을 해결하기 위해 필름 벌크 오코스틱 공진의 종류 중 브래그 반사기를 이용한 RF용 소자를 구현한 것으로, RF용 소자들을 브래그 반사기를 이용하여 반도체 기판으로부터 오코스틱 분리시킴으로서, 기판의 존재로 인하여 발생하는 여러 가지 손실, 노이즈, 커플링 등의 효과를 최소화할 수 있다. 필름 벌크 오코스틱 공진기, 브래그 반사기, 인덕터
Int. CL H01L 27/02 (2006.01) H03H 9/25 (2006.01)
CPC H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01) H03H 9/25(2013.01)
출원번호/일자 1020070138412 (2007.12.27)
출원인 한국정보통신대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0902710-0000 (2009.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국정보통신대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤기완 대한민국 대전 유성구
2 이재영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0937106-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0045598-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0649390-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0127830-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0127829-35
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0193681-03
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번호 청구항
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소자가 실장된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 브래그 반사기와, 상기 브래그 반사기의 상부에 형성되며, 상기 브래그 반사기에 의해 상기 반도체 기판으로부터 오코스틱 분리되는 RF용 인덕터 패턴을 포함하며, 상기 RF용 인덕터 패턴은, 상기 브래그 반사기의 상부 일부 영역에 형성된 언더-바와, 상기 언더-바와 수직으로 연결시키기 위한 비아 콘택이 형성된 절연막과, 상기 절연막의 상부에 형성되어 상기 비아 콘택과 연결되는 최상위 패턴 을 포함하는 브래그 반사기를 이용한 RF용 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 언더-바는, 알루미늄을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 브래그 반사기를 이용한 RF용 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 절연막은, 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 브래그 반사기를 이용한 RF용 소자
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반도체 기판의 상부에 브래그 반사기를 형성하는 단계와, 상기 브래그 반사기의 상부에 상기 브래그 반사기에 의해 상기 반도체 기판으로부터 오코스틱 분리되는 RF용 인덕터 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 RF용 인덕터 패턴을 형성하는 단계는, 상기 브래그 반사기의 상부 일부 영역에 언더-바를 형성하는 단계와, 상기 언더-바가 완전히 매립되도록 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 언더-바와 수직으로 연결되는 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 비아홀이 완전히 매립되도록 상기 절연막의 상부 전면에 소정의 두께로 금속 박막을 증착하여 비아 콘택을 형성하는 단계와, 상기 금속 박막을 패터닝하여 상기 비아 콘택을 통해 상기 언더-바에 연결되는 최상위 패턴을 상기 절연막의 상부에 형성하여 상기 RF용 인덕터 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 브래그 반사기를 이용한 RF용 소자의 제조 방법
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