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복수의 공통 게이트 트랜지스터를 이용한 캐스코드 구조의 증폭기

  • 기술번호 : KST2014008673
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공통 소스 트랜지스터와 공통 게이트 트랜지스터로 구성된 캐스코드 구조를 갖는 고주파 차동 증폭기에 관한 것으로서, 상기 공통 게이트 트랜지스터 하나에 상기 공통 소스 트랜지스터 복수개가 병렬로 연결되어 복수개의 차동쌍을 가지며, 상기 각 차동쌍은 개별적으로 정합회로를 이루는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 회로 구성의 복잡도를 줄이고 회로 크기의 큰 증가 없이 회로 구성의 활용도를 높이면서 고효율 및 고출력을 얻을 수 있다. 또한 출력전력의 조작을 더 용이하게 할 수 있다. 공통 게이트 트랜지스터, 증폭기, 정합회로, 캐스코드
Int. CL H03F 1/22 (2006.01)
CPC H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01)
출원번호/일자 1020070069235 (2007.07.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0882819-0000 (2009.02.03)
공개번호/일자 10-2009-0005858 (2009.01.14) 문서열기
공고번호/일자 (20090210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 대전광역시 유성구
2 이홍탁 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0502604-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041317-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0394767-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659284-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0659290-70
7 등록결정서
Decision to grant
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0037664-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
공통 소스 트랜지스터와 공통 게이트 트랜지스터로 구성된 캐스코드 구조를 갖는 고주파 차동 증폭기에 있어서, 상기 공통 소스 트랜지스터 하나에 상기 공통 게이트 트랜지스터 복수개가 병렬로 연결되어 복수개의 차동쌍을 가지며, 상기 각 차동쌍은 개별적으로 정합회로를 이루는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
2 2
제1항에 있어서, 상기 정합회로가 전송선 변압기인 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
3 3
제1항에 있어서, 상기 공통 소스 트랜지스터 및 공통 게이트 트랜지스터가 FET 또는 BJT인 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
4 4
제2항에 있어서, 상기 전송선 변압기의 1차측 전송선이 상기 전송선 변압기의 2차측 전송선의 양쪽에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
5 5
제2항에 있어서, 상기 전송선 변압기의 1차측 전송선이 상기 전송선 변압기의 2차측 전송선에 대하여 직렬로 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
6 6
제1항에 있어서, 상기 공통 소스 트랜지스터는 복수개의 트랜지스터가 캐스코드 구조로 연결되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
7 7
제1항에 있어서, 상기 복수개의 공통 게이트 트랜지스터 중의 적어도 하나는 복수개의 트랜지스터가 캐스코드 구조로 연결되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
8 8
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 전송선 변압기가 PCB 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
9 9
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 전송선 변압기가 반도체 집적회로 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
10 10
제1항에 있어서, 상기 공통 소스 트랜지스터 또는 공통 게이트 트랜지스터의 어느 한 단자에 인덕터, 저항, 커패시터, 전송선, 또는 추가적인 트랜지스터나 변압기가 연결 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
11 11
단위 차동 증폭기가 복수개 연결되며, 각 단위 차동 증폭기에서 발생하는 전력은 전압결합방식을 통해 결합되어 출력단으로 전달되고, 상기 각 단위 차동 증폭기는 공통 소스 트랜지스터와 공통 게이트 트랜지스터로 구성된 캐스코드 구조를 갖으며, 상기 공통 게이트 트랜지스터는 상기 공통 소스 트랜지스터에 대해 병렬로 복수개 설치되어 복수개의 차동쌍을 가지고, 상기 차동쌍에 대응하여 전송선 변압기가 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 차동 증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.