요약 | 본 발명은 수직채널에 더블 스플릿 게이트 구조를 갖는 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 선택 게이트를 수직채널을 갖도록 형성된 트렌치의 하부 양측에 두고 컨트롤 게이트를 공유하도록 함으로써, 종래 스플릿 게이트 메모리 소자의 장점(높은 프로그램 효율)은 그대로 살리며, 소요되는 면적을 대폭 줄일 수 있게 되었고, 본 발명에 의한 메모리 소자를 플래시 메모리 어레이에 응용할 경우 워드 라인, 비트 라인 및 선택 게이트 라인 각각에 하나의 컨택만 하면 되므로, 종래보다 컨택에 필요한 면적을 감소시켜 단위 셀 당 면적을 획기적으로 줄일 수 있는 효과가 있다. 수직채널, 스플릿 게이트, 선택 게이트, 플래시, 메모리 소자 |
---|---|
Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
CPC | H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080026239 (2008.03.21) |
출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
등록번호/일자 | 10-1037638-0000 (2011.05.23) |
공개번호/일자 | 10-2009-0100799 (2009.09.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20110527) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.03.21) |
심사청구항수 | 6 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
2 | 윤장근 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0205560-22 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0035028-54 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.02.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0065826-26 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0242988-19 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.04.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0242983-92 |
7 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2010.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0355287-96 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0530086-85 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0530083-48 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0105641-49 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 소정의 트렌치를 사이에 두고 형성된 두 개의 실리콘 핀과; 상기 각 실리콘 핀 상단에 형성된 제 1 및 제 2 소스/드레인 영역과; 상기 제 1 및 제 2 소스/드레인 영역으로부터 수직으로 일정 거리 떨어지고 상기 트렌치의 바닥 양측에 서로 이격되며 실리콘 기판 상부에 제 1 절연막을 사이에 두고 형성된 제 1 및 제 2 선택게이트와; 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 사이를 채우며 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 상부 및 상기 각 실리콘 핀 상에 형성된 소정의 전하 저장층을 포함하는 제 2 절연막과; 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 트렌치를 메우며 형성된 컨트롤 게이트와; 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 사이를 중심으로 상기 트렌치의 바닥 밑에 형성된 제 3 소스/드레인 영역을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층은 상기 각 실리콘 핀의 수직 측면 상에 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질로 형성되고, 상기 제 2 절연막은 상기 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질을 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질은 질화물(nitride)인 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층은 상기 각 실리콘 핀의 수직 측면 상에 도전성 물질로 형성되고, 상기 제 2 절연막은 상기 도전성 물질을 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 상기 제 1 절연막과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 |
7 |
7 제 1 항에 의한 메모리 소자를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판을 식각하여 소정의 높이를 가지며 일정거리 이격되도록 두 개의 실리콘 핀을 형성함으로써, 상기 실리콘 핀 사이에 소정의 트렌치를 형성하는 단계와; 상기 트렌치 상부에 제 1 절연막 형성을 위한 게이트 산화막을 성장시키고, 폴리실리콘을 증착한 후 평탄화시킨 다음, 리세스(recess) 공정을 통해 상기 트렌치의 하부에만 상기 폴리실리콘을 남기는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 산화막을 증착하고 식각하여 상기 트렌치 양측에 산화막 스페이서를 형성하고, 상기 산화막 스페이서를 식각 마스크로 하여 상기 폴리실리콘을 식각하여 제 1 및 제 2 선택게이트를 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 이온 주입을 실시하여 제 1 내지 제 3 소스/드레인 영역을 형성하는 단계와; 상기 산화막 스페이서를 제거하고, 전하 저장층을 포함한 제 2 절연막을 형성하기 위한 Oxide/Nitride/Oxide층을 순차 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 폴리실리콘을 증착하고 사진 식각 공정을 통하여 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자를 제조하는 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1037638-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080321 출원 번호 : 1020080026239 공고 연월일 : 20110527 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110223 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2011년 05월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 172,000 원 | 2014년 05월 07일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2015년 04월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2016년 01월 28일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 229,600 원 | 2017년 04월 21일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2018년 04월 25일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 183,680 원 | 2019년 09월 02일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 285,000 원 | 2020년 05월 13일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0205560-22 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0035028-54 |
4 | 의견제출통지서 | 2010.02.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0065826-26 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0242988-19 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.04.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0242983-92 |
7 | 최후의견제출통지서 | 2010.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0355287-96 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0530086-85 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0530083-48 |
10 | 등록결정서 | 2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0105641-49 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345071023 |
---|---|
세부과제번호 | 과06A1501 |
연구과제명 | 화학분자공학사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1415079066 |
---|---|
세부과제번호 | B0000058 |
연구과제명 | 마이크로나노반도체연구기반혁신사업 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200306~200805 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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