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ＢＲＴ 소자의 전기적 특성 개선 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2015148255
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력용 반도체 소자 중 하나인 BRT(Base Resistance controlled Thyristor) 소자에 관한 것이다. 본 발명은, BRT 소자에 임의의 조건의 전자빔을 조사하여, 소수 캐리어의 수명 시간을 단축시키는 상기 전자빔의 제1 특정 조건값을 추출하는 단계와, 상기 추출된 제1 특정 조건값의 전자빔을, 다른 BRT 소자에 조사하는 단계와, 상기 다른 BRT 소자에 임의의 조건의 열처리(thermal annealing) 공정을 제공하여, 문턱 전압을 상승시키는 상기 열처리 공정의 제2 특정 조건값을 추출하는 단계와, 그리고 상기 추출된 제2 특정 조건값의 열처리 공정을, 또 다른 BRT 소자에 제공하는 단계를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면, BRT 소자의 본래 전기적 특성을 유지하면서도, 고속 스윗칭 기능을 동시에 제공할 수 있는 효과가 있다.전력용 반도체, BRT(Base Resistance controlled Thyristor)
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/66363(2013.01) H01L 29/66363(2013.01) H01L 29/66363(2013.01) H01L 29/66363(2013.01)
출원번호/일자 1020070020391 (2007.02.28)
출원인 한국원자력연구원, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0841398-0000 (2008.06.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울시 강남구
2 지인환 대한민국 서울시 마포구
3 하민우 대한민국 서울시 관악구
4 조규헌 대한민국 서울시 강동구
5 이병철 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 한영환 대한민국 대전시 대덕구
7 박성희 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태영 대한민국 경기도 하남시 미사강변한강로 *** (망월동, 미사강변 SK V* center) *동 지식산업센터 ***호(태영상표법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0174136-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014798-10
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0152524-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
BRT(Base Resistance controlled Thyristor) 소자에 임의의 조건의 전자빔을 조사하여, 소수 캐리어의 수명 시간을 단축시키는 상기 전자빔의 제1 특정 조건값을 추출하는 단계;상기 추출된 제1 특정 조건값의 전자빔을, 다른 BRT 소자에 조사하는 단계;상기 다른 BRT 소자에 임의의 조건의 열처리(thermal annealing) 공정을 제공하여, 문턱 전압을 상승시키는 상기 열처리 공정의 제2 특정 조건값을 추출하는 단계; 그리고상기 추출된 제2 특정 조건값의 열처리 공정을, 또 다른 BRT 소자에 제공하는 단계를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 추출된 제1 특정 조건값의 전자빔을, 다른 BRT 소자에 조사하는 상기 단계는,상기 다른 BRT 소자의 물리적 성질과 상관없이, 상기 추출된 제1 특정 조건값의 전자빔을 임의의 BRT 소자에 조사하는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
3 3
제1 항에 있어서,BRT(Base Resistance controlled Thyristor) 소자에 임의의 조건의 전자빔을 조사하여, 소수 캐리어의 수명 시간을 단축시키는 상기 전자빔의 제1 특정 조건값을 추출하는 상기 단계는,상기 전자빔의 조사 에너지의 범위가 1 내지 10 MeV 이고, 조사량의 범위가 내지 인 것을 상기 제1 특정 조건값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 제1 특정 조건값은,상기 전자빔의 조사 에너지가 2 MeV이고, 조사량의 범위가 인 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 다른 BRT 소자에 임의의 조건의 열처리(thermal annealing) 공정을 제공하여, 문턱 전압을 상승시키는 상기 열처리 공정의 제2 특정 조건값을 추출하는 상기 단계는,상기 열처리 공정의 온도가 300 내지 500 이고, 시간이 10 내지 60 분(minute) 인 것을 상기 제2 특정 조건값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 제2 특정 조건값은,상기 열처리 공정의 온도가 400 이고, 시간이 10 분(minute) 인 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 방법
7 7
BRT(Base Resistance controlled Thyristor) 소자에 임의의 조건의 전자빔을 조사하여, 소수 캐리어의 수명 시간을 단축시키는 상기 전자빔의 제1 특정 조건값을 추출하고, 상기 추출된 제1 특정 조건값의 전자빔을, 다른 BRT 소자에 조사하는 전자빔 조사부; 그리고상기 다른 BRT 소자에 임의의 조건의 열처리(thermal annealing) 공정을 제공하여, 문턱 전압을 상승시키는 상기 열처리 공정의 제2 특정 조건값을 추출하고, 상기 추출된 제2 특정 조건값의 열처리 공정을, 또 다른 BRT 소자에 제공하는 열처리 공정부를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 장치
8 8
제7 항에 있어서,상기 제1 특정 조건값은,상기 전자빔의 조사 에너지가 2 MeV이고, 조사량의 범위가 인 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 장치
9 9
제7 항에 있어서,상기 제2 특정 조건값은,상기 열처리 공정의 온도가 400 이고, 시간이 10 분(minute) 인 것을 특징으로 하는 BRT 소자의 전기적 특성 개선 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.