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나노구조 및 나노구조의 제조

  • 기술번호 : KST2015134938
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조 및 이를 제조하는 기술이 제공된다. 일 실시예에서, 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판을 제공하고, SOI 기판 상에 패턴을 형성하고, 패턴 상에 등각층(conformal layer)을 배치하고, 측벽 부분을 제외한 채 등각층을 에칭하고, 패턴을 제거하고, 나노구조를 형성하기 위하여 측벽 패턴을 SOI 기판의 실리콘층에 전사(transfer)하며, 나노구조를 릴리즈(release)함으로써, 나노구조가 형성될 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080113216 (2008.11.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0024874 (2010.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 미국  |   12/197,997   |   2008.08.25
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.14)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0787319-29
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0128778-21
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0827366-93
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803015-66
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803047-16
6 우선권주장증명서류제출서(USPTO)
Submission of Priority Certificate(USPTO)		 2010.03.02 수리 (Accepted) 9-1-2010-9001533-90
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0036413-11
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0602741-41
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0295524-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조(nanostructure)를 제조하는 방법으로서, 실리콘 웨이퍼, 제1 산화물층, 및 실리콘층을 포함하는 실리콘 온인슐레이터(SOI) 기판을 제공하는 단계; 상기 SOI 기판 상에 폴리실리콘 패턴을 배치하는 단계; 상기 SOI 기판 및 상기 폴리실리콘 패턴 위에 제2 산화물층을 배치하는 단계; 상기 폴리실리콘 패턴에 인접한 측벽(side wall) 구조를 형성하기 위해 상기 제2 산화물층의 일부를 제거하는 단계; 상기 폴리실리콘 패턴을 제거하는 단계; 나노구조를 형성하기 위하여 상기 측벽 구조의 산화물 측벽 패턴을 상기 SOI 기판의 상기 실리콘층에 전사(transfer)하는 단계; 및 상기 나노구조를 릴리즈(release)하기 위하여 상기 제1 산화물층의 적어도 일부를 제거하는 단계 를 포함하는 나노구조 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘 패턴을 배치하는 단계 전에, 상기 SOI 기판 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 산화물층은 상기 실리콘 웨이퍼 상에 배치되고, 상기 실리콘 층은 상기 제1 산화물층 상에 배치되며, 상기 보호층은 상기 실리콘층 상에 형성되는 나노구조 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 보호층을 형성하는 단계는, 열산화법(thermal oxidation), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition), 및 스퍼터링(sputtering) 중 적어도 하나에 의해 상기 SOI 기판 상에 실리콘 산화물을 적층하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘 패턴을 배치하는 단계는, 상기 SOI 기판 상에 폴리실리콘층을 적층하는 단계; 및 상기 나노구조가 원하는 모양을 갖도록 상기 폴리실리콘 패턴을 형성하기 위하여 광리소그래피에 의해 상기 폴리실리콘층을 패터닝하는 단계 를 포함하는 나노구조 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 폴리실리콘 패턴을 배치하는 단계는, 상기 광리소그래피에 의해 발생된 잔류 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하는 나노구조 제조 방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 산화물층을 배치하는 단계는, 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)에 의해 실리콘 산화물을 적층하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 산화물층의 일부를 제거하는 단계는, 이방성 플라즈마 에칭(anisotropic plasma etching)에 의해 상기 제2 산화물층을 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 패턴을 제거하는 단계는, 상기 폴리실리콘 패턴을 습식 에칭 및 플라즈마 에칭 중 적어도 하나에 의해 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 측벽 패턴의 전사는, 플라즈마 에칭에 의해 수행되는 나노구조 제조 방법
10 10
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 산화물층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 상기 제1 산화물층을 습식 에칭에 의해 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
11 11
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은 SiO2를 포함하는 나노구조 제조 방법
12 12
나노구조(nanostructure)를 제조하는 방법으로서, 제1 희생층 및 실리콘층을 포함하는 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판을 제공하는 단계; 상기 SOI 기판 상에 제2 희생층을 배치하는 단계; 상기 제2 희생층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2 희생층 위에 등각층(conformal layer)을 배치하는 단계; 상기 패터닝된 제2 희생층에 인접한 측벽 구조를 형성하기 위해 상기 등각층의 일부를 제거하는 단계; 상기 패터닝된 제2 희생층을 제거하는 단계; 나노구조를 형성하기 위하여 상기 측벽 구조의 측벽 구조 패턴을 상기 SOI 기판의 상기 실리콘층에 전사하는 단계; 및 상기 나노구조를 릴리즈(release)하기 위하여 상기 제1 희생층의 적어도 일부를 제거하는 단계 를 포함하는 나노구조 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 SOI 기판은 실리콘 웨이퍼를 더 포함하고, 상기 제1 희생층은 상기 실리콘 웨이퍼 상에 존재하며, 상기 실리콘층은 상기 제1 희생층 상에 존재하는 나노구조 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제2 희생층을 배치하는 단계 전에, 상기 실리콘층 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조 제조 방법
15 15
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제2 희생층을 배치하는 단계는, 상기 SOI 기판 상에 폴리실리콘 층을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 제2 희생층을 패터닝하는 단계는, 상기 나노구조가 원하는 구조를 갖도록 상기 패터닝된 제2 희생층을 형성하기 위하여 광리소그래피에 의해 상기 폴리실리콘층을 패터닝하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 희생층을 패터닝하는 단계 이후에, 상기 광리소그래피에 의해 발생된 잔류 폴리머를 제거하는 단계를 더 포함하는 나노구조 제조 방법
17 17
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 등각층을 배치하는 단계는, 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)에 의해 실리콘 산화물을 적층하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
18 18
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 등각층의 일부를 제거하는 단계는, 이방성 플라즈마 에칭(anisotropic plasma etching)에 의해 상기 등각층을 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
19 19
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 패터닝된 제2 희생층을 제거하는 단계는, 상기 제2 희생층을 습식 에칭 및 플라즈마 에칭 중 적어도 하나에 의해 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
20 20
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 측벽 구조 패턴의 전사는, 플라즈마 에칭에 의해 수행되는 나노구조 제조 방법
21 21
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 희생층의 적어도 일부를 제거하는 단계는, 습식 에칭을 포함하는, 나노구조 제조 방법
22 22
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 희생층 및 제2 희생층은 SiO2를 포함하는 나노구조 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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