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메모리 장치 및 그 프로그램 방법

  • 기술번호 : KST2015137423
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플래시 메모리 시스템 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플래시 메모리 장치는 멀티 레벨 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 상기 멀티 레벨 셀에 한 비트의 정보가 저장하도록 제어하는 컨트롤 로직을 포함하되, 상기 컨트롤 로직은 상기 멀티 레벨 셀이 소거 동작없이 프로그램 동작되도록 제어한다. 따라서, 본 발명에 따른 플래시 메모리 장치는 소거 동작을 실행하지 않으므로, 동작 속도를 향상하는 효과가 있다.
Int. CL G11C 16/10 (2006.01.01) G11C 16/12 (2006.01.01) G11C 16/34 (2006.01.01)
CPC G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01)
출원번호/일자 1020080105759 (2008.10.28)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1544607-0000 (2015.08.07)
공개번호/일자 10-2010-0046757 (2010.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민상렬 대한민국 서울 서초구
2 김석준 미국 경기도 용인시 처인구
3 김진혁 대한민국 경기도 화성
4 이동기 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 정태성 대한민국 서울특별시 용산구
6 소병세 대한민국 경기도 성남시 분당구
7 장덕현 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0747538-95
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0123131-41
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0765779-03
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0806004-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0899948-38
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0899946-47
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0823418-29
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0098622-18
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0098623-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0386734-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0437056-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
복수의 멀티 레벨 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및상기 멀티 레벨 메모리 셀들의 프로그램 카운트에 따라 상기 멀티 레벨 메모리 셀들에 저장된 1-비트의 구 정보를 1-비트의 새 정보로 덮어쓰기하고, 상기 프로그램 카운트를 업데이트하는 컨트롤 로직을 포함하되,상기 덮어쓰기는 상기 멀티 레벨 메모리 셀에 대한 소거 동작 없이 수행되고, 상기 한 비트의 새 정보는 상기 업데이트된 프로그램 카운트를 기초로 결정된 1회의 읽기 동작에 의하여 독출되는 비휘발성 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 덮어쓰기에서 이용되는 검증 전압의 레벨은 상기 프로그램 카운트에 따라 결정되는 비휘발성 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 컨트롤 로직은 상기 업데이트된 프로그램 카운트에 따라 상기 1-비트의 새 정보를 독출하기 위한 읽기 전압의 레벨을 결정하는 비휘발성 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 컨트롤 로직은, 상기 멀티 레벨 메모리 셀들에 덮어쓰기될 상기 1-비트의 새 정보가 상기 1-비트의 구 정보와 다르면, 상기 멀티 레벨 메모리 셀들을 상기 1-비트의 새 정보로 상기 검증 전압을 이용하여 프로그램하는 비휘발성 메모리 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 컨트롤 로직은, 상기 멀티 레벨 메모리 셀에 덮어쓰기될 상기 1-비트의 새 정보가 상기 1-비트의 구 정보와 동일하면 상기 멀티 레벨 메모리 셀들을 현 상태로 유지시키는 비휘발성 메모리 장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 컨트롤 로직은 더 이상 프로그램이 불가능한 경우 에러 신호를 발생하는 비휘발성 메모리 장치
7 7
복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이;상기 복수의 메모리 셀들에 데이터를 기입하거나 센싱하는 페이지 버퍼; 그리고상기 복수의 메모리 셀들 중에서 적어도 2개의 메모리 셀 단위로 1-비트의 데이터를 덮어쓰기 하도록 상기 페이지 버퍼를 제어하는 컨트롤 로직을 포함하되,상기 컨트롤 로직은 상기 적어도 2개의 메모리 셀들에 대한 소거 동작 없이 상기 적어도 2개의 메모리 셀들 각각의 프로그램 상태에 따라 1-비트를 덮어쓰기 하는 비휘발성 메모리 장치
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 메모리 셀들은 하나의 페이지 버퍼 회로에 연결되는 비휘발성 메모리 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 메모리 셀들은 동일한 워드라인에 연결되는 비휘발성 메모리 장치
10 10
제 7 항에 있어서,상기 1-비트의 덮어쓰기는 상기 적어도 2개의 메모리 셀들 중 어느 하나의 문턱전압 상승하는 프로그램 동작에 의해서 수행되는 비휘발성 메모리 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101727983 CN 중국 FAMILY
2 US08493782 US 미국 FAMILY
3 US20100103735 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101727983 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101727983 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2010103735 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8493782 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.