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나노구조의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160066
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조를 제조하는 방법이 제공된다. 본 개시에 따르면, 적어도 한 쌍의 구조층과 희생층을 갖는 다층 스택(multilayer stack)이 기판 상에 형성되고, 나노구조를 형성하기 위하여 다층 스택이 패터닝되며, 패터닝된 다층 스택으로부터 나노구조를 릴리즈(release) 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020080084556 (2008.08.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0986781-0000 (2010.10.04)
공개번호/일자 10-2010-0025838 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.28)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태홍 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 ** (충정로*가, 풍산빌딩) **층(리인터내셔널 특허법률사무소)
2 신정건 대한민국 부산광역시 연제구 법원로**, ,****호 (거제동, 정림빌딩)(특허법인 티앤아이(부산분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0614725-41
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0111093-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0691799-47
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0385243-35
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노구조(nanostructure)를 제조하는 방법으로서, 적어도 한 쌍의 구조층과 희생층을 갖는 다층 스택(multilayer stack)을 기판 상에 형성하는 단계; 나노구조를 형성하기 위하여 상기 다층 스택을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 다층 스택으로부터 상기 나노구조를 릴리즈(release)하는 단계 를 포함하는, 나노구조 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계는, 상기 구조층과 상기 희생층을 상기 기판 상에 번갈아 증착(deposit)하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계는, 열산화법, 에피택셜 성장법, 화학 기상 증착법, 및 스퍼터링법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나에 의해 수행되는 나노구조 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 다층 스택을 패터닝하는 단계는, 광리소그래피, 나노임프린트, 및 전자빔 리소그래피 중에서 선택된 하나에 의해 상기 다층 스택에 패턴을 전사하는 단계; 및 상기 전사된 패턴에 따라 상기 다층 스택의 구조층과 희생층 모두를 에칭하는 단계 를 포함하는 나노구조 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조를 릴리즈하는 단계는, 에칭에 의하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는, 습식 에칭에 의해 상기 희생층을 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다층 스택은 복수의 쌍의 상기 구조층과 상기 희생층을 갖는 나노구조 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 다층 스택을 형성하는 단계는 상기 구조층과 상기 희생층을 번갈아 증착하는 단계를 포함하고, 복수의 상기 구조층들은 서로 상이한 조성을 갖는 나노구조 제조 방법
9 9
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조층은 실리콘(Si)을 포함하는 나노구조 제조 방법
10 10
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희생층은 이산화실리콘(SiO2)을 포함하는 나노구조 제조 방법
11 11
나노구조(nanostructure)를 제조하는 방법으로서, 구조층과 희생층으로 이루어진 쌍을 복수개 형성하는 단계; 상기 구조층과 상기 희생층이 번갈아 위치되도록, 상기 구조층과 희생층의 복수의 쌍을 페이스트(paste)하는 단계; 상기 페이스트된 복수의 쌍의 구조층과 희생층을 기판 상에 적층하는 단계; 복수의 나노구조를 형성하기 위해 상기 적층된 복수의 쌍들을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 복수의 쌍들로부터 상기 복수의 나노구조를 릴리즈(release)하는 단계 를 포함하는, 나노구조 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 구조층과 희생층으로 이루어진 쌍을 복수개 형성하는 단계는 열산화법, 에피택셜 성장법, 화학 기상 증착법 및 스퍼터링법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나에 의해 수행되는 나노구조 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 적층된 쌍들을 패터닝하는 단계는 광리소그래피, 나노임프린트, 및 전자빔 리소그래피 중에서 선택된 하나에 의해 상기 적층된 쌍들에 패턴을 전사하는 단계; 및 상기 전사된 패턴에 따라 상기 적층된 쌍들을 에칭하는 단계 를 포함하는 나노구조 제조 방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 복수의 나노구조를 릴리즈하는 단계는 에칭에 의하여 각각의 패터닝된 쌍들로부터 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는, 나노구조 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는, 습식 에칭에 의해 상기 희생층을 에칭하는 단계를 포함하는 나노구조 제조 방법
16 16
제11 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 쌍에 포함된 상기 구조층들은 서로 상이한 조성을 갖는 나노구조 제조 방법
17 17
제11 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조층들은 실리콘(Si)을 포함하고, 상기 희생층들은 이산화실리콘(SiO2)을 포함하는 나노구조 제조 방법
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1 US20100055620 US 미국 FAMILY

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1 US2010055620 US 미국 DOCDBFAMILY
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