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포텐셜 웰 베리어 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015160064
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 자세하게는 넓은 밴드 갭과 좁은 밴드 갭이 형성하는 포텐셜 웰을 갖는 장벽층을 이용한 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 이종접합층 구조를 가진 트랜지스터에 있어서, 기판 및 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 1장벽층; 상기 제 1장벽층 상에 위치하는 채널층; 상기 채널층 상에 위치하고, 포텐셜 웰을 갖는 제 2장벽층; 및 상기 제 2장벽층 상에 위치하는 캡층을 포함함에 기술적 특징이 있다. 포텐셜 웰, 이종접합구조, 장벽층, 트랜지스터
Int. CL H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/7784(2013.01) H01L 29/7784(2013.01) H01L 29/7784(2013.01)
출원번호/일자 1020080075933 (2008.08.04)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1003909-0000 (2010.12.17)
공개번호/일자 10-2010-0015048 (2010.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20101230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울 강남구
2 장경철 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0558885-34
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0069451-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0035910-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307236-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0470018-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0470019-40
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0530353-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이종접합층 구조를 가진 트랜지스터에 있어서, 기판 및 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 1장벽층; 상기 제 1장벽층 상에 위치하는 채널층; 상기 채널층 상에 위치하고, 포텐셜 웰을 갖는 제 2장벽층; 및 상기 제 2장벽층 상에 위치하는 캡층 을 포함하는 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 2장벽층은, 밴드 갭의 제 3반도체층과, 상기 제 3반도체층 상에 존재하는 밴드 갭의 제 2반도체층 및 상기 제 2반도체층 상에 존재하는 밴드 갭의 제 1반도체층으로 이루어지고, 상기 제 2반도체층의 밴드 갭은 제 1반도체층 및 제 3반도체층의 밴드 갭보다 좁은 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제 2반도체층의 두께는 10~50Å인 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터
4 4
제 2항에 있어서, 상기 제 1반도체층과 제 3반도체층은 AlXGaAs이고, 상기 x는 0
5 5
제 2항에 있어서, 상기 제 1반도체층과 제 3반도체층은 In1-XAlXAs이고, 상기 x는 0
6 6
제 2항에 있어서, 상기 제 1반도체층과 제 3반도체층은 AlXGaN이고, 상기 x는 0
7 7
제 2항에 있어서, 상기 제 2반도체층은 InXGaAs이고, 상기 x는 0
8 8
제 2항에 있어서, 상기 제 2반도체층은 GaN인 포텐셜 웰 베리어 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.