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측벽 영역과 이등방성 습식 식각을 이용한 증가형 반도체탐침의 제조 방법 및 이를 이용한 정보저장장치
- 기술번호 : KST2015160998
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 측벽 영역과 이등방성 습식 식각을 이용한 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 및 이를 이용한 정보저장장치에 관한 것으로, 소자의 성능에 대한 공정 변수의 영향을 줄임으로써 대량 생산에 있어 소자의 신뢰도를 높일 수 있고, 이전의 측정 감도를 저해하였던 요소를 해결함으로써 소자 성능을 향상시킬 수 있다.이를 위한 본 발명에 의한 증가형 반도체 탐침의 제조 방법은, (a) 실리콘 기판상에 제 1 방향의 탐침 끝(tip) 부분을 형성하기 위한 제 1 식각 마스크 패턴을 형성하고 그 양측에 측벽 영역을 형성하는 단계와; (b) 상기 측벽 영역을 이용하여 상기 실리콘 기판을 이등방성 식각하여 탐침의 양쪽 경사면을 형성하는 단계와; (c) 상기 측벽 영역을 마스크로 불순물을 주입하여 상기 실리콘 기판에 소스 및 드레인 영역을 형성한 후 상기 측벽 영역을 제거하는 단계와; (d) 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 탐침의 양쪽 경사면에 소스 및 드레인 영역을 형성한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와; (e) 상기 탐침의 끝 부분 상에 제 2 방향의 탐침 끝(tip) 부분을 형성하기 위한 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (f) 상기 제 2 식각 마스크 패턴의 양측에 스페이스 막을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 스페이스 막을 사용하여 사진 및 식각 공정으로 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.측벽, 이등방성, 습식 식각, 증가형, 탐침, 팁, 정보저장장치, 피라미드 |
|---|---|
| Int. CL | G11B 9/14 (2006.01) G11B 9/02 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020070022550 (2007.03.07) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0842923-0000 (2008.06.25) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080703) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.03.07) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고형수 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 2 | 박병국 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 3 | 홍승범 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 4 | 박철민 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 5 | 최우영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 6 | 김종필 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 7 | 송재영 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
| 8 | 김상완 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조현석 | 대한민국 | 충청남도 예산군 대술면 송석백제울길 ***(지우국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0187989-47 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.03.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0159389-43 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 증가형 반도체 탐침의 제조 방법에 있어서,(a) 실리콘 기판상에 제 1 방향의 탐침 끝(tip) 부분을 형성하기 위한 제 1 식각 마스크 패턴을 형성하고 그 양측에 측벽 영역을 형성하는 단계와;(b) 상기 측벽 영역을 이용하여 상기 실리콘 기판을 이등방성 식각하여 탐침의 양쪽 경사면을 형성하는 단계와;(c) 상기 측벽 영역을 마스크로 불순물을 주입하여 상기 실리콘 기판에 소스 및 드레인 영역을 형성한 후 상기 측벽 영역을 제거하는 단계와;(d) 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 탐침의 양쪽 경사면에 소스 및 드레인 영역을 형성한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계와;(e) 상기 탐침의 끝 부분 상에 제 2 방향의 탐침 끝(tip) 부분을 형성하기 위한 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계와;(f) 상기 제 2 식각 마스크 패턴의 양측에 스페이스 막을 형성하는 단계; 및(g) 상기 스페이스 막을 사용하여 사진 및 식각 공정으로 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각한 후 상기 스페이스 막을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 형성하는 방법은:(a1) 상기 실리콘 기판상에 제 1 식각 마스크 층, 제 2 식각 마스크 층, 감광제를 순차적으로 적층하는 단계와;(a2) 상기 감광제를 패터닝한 후 사진 및 식각 공정을 통해 상기 제 2 식각 마스크 층을 식각하는 단계와;(a3) 상기 감광제를 제거한 후 상기 제 2 식각 마스크 층의 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계와;(a4) 상기 제 2 식각 마스크 층을 제거한 후 상기 스페이스 막을 이용하여 상기 제 1 식각 마스크 층을 식각하는 단계; 및(a5) 상기 스페이스 막을 제거하여 상기 제 1 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 제 1 식각 마스크 층과 상기 제 2 식각 마스크 층은 서로 식각 선택비가 다른 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서,상기 제 1 식각 마스크 층은 실리콘 산화물(SiO2)로 형성하고,상기 제 2 식각 마스크 층은 질소화물(SiNx)로 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 (e) 단계에서의 상기 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 방법은:(e1) 상기 실리콘 기판상에 제 3 식각 마스크 층, 제4 식각 마스크 층, 감광제를 순차적으로 적층하는 단계와;(e2) 상기 감광제를 패터닝한 후 사진 및 식각 공정을 통해 상기 제 4 식각 마스크 층을 식각하는 단계와;(e3) 상기 감광제를 제거한 후 상기 제 4 식각 마스크 층의 측벽에 스페이스 막을 형성하는 단계와;(e4) 상기 제 4 식각 마스크 층을 제거한 후 상기 스페이스 막을 이용하여 상기 제 3 식각 마스크 층을 식각하는 단계; 및(e5) 상기 스페이스 막을 제거하여 상기 제 2 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 제 3 식각 마스크 층과 상기 제 4 식각 마스크 층은 서로 식각 선택비가 다른 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 제 3 식각 마스크 층은 실리콘 산화물(SiO2)로 형성하고,상기 제 4 식각 마스크 층은 질소화물(SiNx)로 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서의 측벽 영역은:질소화물(SiNx)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 (f) 단계에서의 스페이스 막은:HSQ(hydrogen silsequioxane)을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 |
| 10 |
10 증가형 반도체 탐침을 구비한 정보저장장치에 있어서,제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 증가형 반도체 탐침을 구비한 정보저장장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07700393 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20080220556 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2008220556 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7700393 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0842923-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070307 출원 번호 : 1020070022550 공고 연월일 : 20080703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080324 청구범위의 항수 : 10 유별 : G11B 9/14 발명의 명칭 : 측벽 영역과 이등방성 습식 식각을 이용한 증가형 반도체탐침의 제조 방법 및 이를 이용한 정보저장장치 존속기간(예정)만료일 : 20150626 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 516,000 원 | 2008년 06월 26일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2011년 04월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2012년 05월 17일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2013년 05월 22일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2014년 05월 22일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0187989-47 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 등록결정서 | 2008.03.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0159389-43 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071105 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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