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반도체 발광소자
- 기술번호 : KST2015174121
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 작동 중 발생하는 열 방출이 용이하고, 전류분산효율이 높으며, 반도체층 성장 시의 전위를 차단하여 결함이 감소된 신뢰성이 향상된 반도체 발광소자가 제안된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 기판, n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광구조물, 및 n형 반도체층 및 p형 반도체층 상에 각각 형성된 n형 전극 및 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자로서, n형 반도체층 내에 형성되고, n형 전극과 접촉하는 금속층을 포함한다. 금속층, 방열효과, 전류분산, 전위차단 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/36 (2010.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080071298 (2008.07.22) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1427076-0000 (2014.07.31) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0010363 (2010.02.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140807) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.06.26) |
| 심사청구항수 | 9 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 강상원 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 박성주 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 3 | 조주영 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 4 | 박일규 | 대한민국 | 충청북도 음성군 |
| 5 | 김용천 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 6 | 김동준 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 7 | 오정탁 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 8 | 김제원 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.07.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0526735-11 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2010.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0237514-85 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0067351-86 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5008827-11 |
| 6 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2012.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0519461-69 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0573358-54 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.06.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0573359-00 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0296507-77 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0527052-11 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0527050-19 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0511153-41 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판, n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광구조물, 및 상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층 상에 각각 형성된 n형 전극 및 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자로서, 상기 n형 반도체층 내에 형성되고, 상기 n형 전극과 접촉하는 금속층;을 포함하며,상기 금속층은 다층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 활성층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 5 |
5 제1항에 있어서, 상기 금속층은 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 6 |
6 제5항에 있어서, 상기 패턴은 스트라이프 패턴 또는 메쉬 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 7 |
7 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 반도체층을 구성하는 반도체의 성장온도보다 높은 녹는점을 갖는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제1항에 있어서, 상기 다층 금속층 중 적어도 한 층은 Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 12 |
12 제1항에 있어서, 상기 다층 금속층 중 적어도 한 층은 Mo, Nb, Os, Re, Pd, W, Ta, Hf, 및 Zr 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 13 |
13 제1항에 있어서, 상기 다층 금속층 중 적어도 활성층에 가장 인접한 층은 Rh를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 14 |
14 제1항에 있어서, 상기 다층 금속층은, Cr을 포함하는 제1층, Mo, Nb, Os, Re, Pd, W, Ta, Hf, 및 Zr 중 적어도 하나를 포함하는 제2층 및,Rh를 포함하는 제3층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 |
| 15 |
15 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08410497 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100019258 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010019258 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8410497 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1427076-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080722 출원 번호 : 1020080071298 공고 연월일 : 20140807 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140728 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 반도체 발광소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 396,000 원 | 2014년 08월 01일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2017년 06월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2018년 06월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 238,000 원 | 2019년 06월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 442,000 원 | 2020년 06월 30일 | 납입 |
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.07.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0526735-11 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2010.04.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0237514-85 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0067351-86 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5008827-11 |
| 6 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2012.06.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0519461-69 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0573358-54 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.06.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0573359-00 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2014.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0296507-77 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.06.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0527052-11 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0527050-19 |
| 12 | 등록결정서 | 2014.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0511153-41 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345072455 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R17-2007-078-01001-0 |
| 연구과제명 | 고효율광원및디스플레이개발을위한넓은띠간격반도체기술연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200705~201002 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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| [KST2016005919][한양대학교] | 하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 다면체를 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법(Light emitting diode having polyhedron having upper width narrower than lower width and method for fabricating the same) | 새창보기 |
| [KST2014059645][한국광기술원] | 태양전지 결합형 발광소자, 이의 제조방법 및 이의 동작방법 | 새창보기 |
| [KST2019014636][전남대학교] | 자외선 발광 소자 | 새창보기 |
| [KST2014023515][한국광기술원] | 수직형 발광 소자 및 이중포토레지스트를 이용한 그의제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016011207][서울대학교] | 양자점 전자 장치(QUANTUM DOT ELECTRONIC DEVICE) | 새창보기 |
| [KST2016014904][한국공학대학교] | p-p 전극형의 발광 다이오드 및 n-n 전극형의 발광 다이오드(p-p ELECTRODE TYPE LIGHT EMITTING DIODE AND n-n ELECTRODE TYPE LIGHT EMITTING DIODE) | 새창보기 |
| [KST2016009961][한국과학기술원] | 양자광 소자 및 이의 제조방법(Quantum Optical Device and its manufacturing method) | 새창보기 |
| [KST2019003510][세종대학교] | 유연한 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2016008042][광주과학기술원] | 발광다이오드의 제조방법(METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE) | 새창보기 |
| [KST2014053374][한국광기술원] | 희생층을 구비한 발광다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2017017389][광주과학기술원] | 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법(Reflecting electrode for light emitting diode and preparation method thereof) | 새창보기 |
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