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질화물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015174117
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 양자 우물 구조의 활성층을 구비한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 기판상에 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층된 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 복수개의 장벽층과 복수개의 우물층이 교대로 배열된 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조를 가지며, 상기 복수개의 장벽층 중 적어도 1개 층은 p형 도펀트가 도핑된 p형 도핑 장벽층과 상기 p형 GaN층의 적어도 일측에 언도프된 장벽층을 갖는 제1 장벽층을 구비한다.MQW, 질화물, Mg 도핑, Si 도핑
Int. CL H01L 33/06 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020080071299 (2008.07.22)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1479623-0000 (2014.12.30)
공개번호/일자 10-2010-0010364 (2010.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20150108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상원 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 권민기 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 이상준 대한민국 광주광역시 북구
5 조주영 대한민국 광주광역시 북구
6 김용천 대한민국 경기도 성남시 분당구
7 한상헌 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 이동주 대한민국 경기도 수원시 영통구
9 오정탁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
10 김제원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0526737-02
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0786888-42
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0237514-85
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0067352-21
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5008827-11
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0519461-69
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0643448-30
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0643447-95
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0026259-45
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0431201-91
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0792346-77
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0792345-21
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0873063-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 적어도 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차 적층된 질화물 반도체 발광소자에 있어서,상기 활성층은 복수개의 장벽층과 복수개의 우물층이 교대로 배열된 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조이며, 상기 복수개의 장벽층 중 적어도 1개 층은 p형 도펀트가 도핑된 p형 도핑 장벽층과 언도프된 장벽층을 갖는 제1 장벽층이고,상기 p형 질화물 반도체층은 상기 복수개의 우물층 중 상기 p형 질화물 반도체층에 접하는 우물층과 접하는 언도프된 영역 및 상기 언도프된 영역과 접하는 p형 도핑된 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 장벽층은 상기 p형 질화물 반도체층에 인접한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 복수개의 장벽층 전체가 상기 제1 장벽층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 장벽층은 p형 도펀트가 도핑된 질화물 반도체로 된 p형 도핑 장벽층 및 언도프된 질화물 반도체로 된 언도프된 장벽층이 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 장벽층은 복수의 상기 언도프된 장벽층 사이에 상기 p형 도핑 장벽층이 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
6 6
제1항에 있어서,상기 p형 도핑 장벽층의 도핑농도를 경사지게 하거나 계단식으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
7 7
제1항에 있어서,상기 활성층은 상기 n형 질화물 반도체층에 인접한 영역에 n형 도펀트가 도핑된 복수개의 제2 장벽층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
8 8
제7항에 있어서,상기 제2 장벽층은 n형 도펀트가 도핑된 n형 도핑 장벽층 및 언도프된 장벽층을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
9 9
제8항에 있어서,상기 제2 장벽층은 상기 n형 도핑 장벽층 및 상기 언도프된 장벽층이 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
10 10
제8항에 있어서,상기 제2 장벽층은 복수의 상기 언도프된 장벽층 사이에 상기 n형 도핑 장벽층이 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05229566 JP 일본 FAMILY
2 JP22028072 JP 일본 FAMILY
3 US09166098 US 미국 FAMILY
4 US20100019223 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010028072 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5229566 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2010019223 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9166098 US 미국 DOCDBFAMILY
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