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광결정이 형성된 방사선 검출 장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174871
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광결정이 형성된 방사선 검출 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명은 광결정이 형성된 기판에 신틸레이터층이 증착된 신틸레이터패널과 수광소자를 포함하고, 이에 따르면 신틸레이터패널과 수광소자 사이의 계면에서 반사로 인한 광손실을 제거하여 방사선 검출 효율을 향상시킬 수 있다. 신틸레이터층, 광결정
Int. CL G01T 1/202 (2011.01) G01T 1/20 (2011.01)
CPC G01T 1/2023(2013.01) G01T 1/2023(2013.01)
출원번호/일자 1020080033654 (2008.04.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0998400-0000 (2010.11.29)
공개번호/일자 10-2009-0108303 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20101203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최용석 대한민국 광주 북구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 황대규 대한민국 광주 북구
4 오민석 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0259588-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0003959-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0021344-12
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0161442-81
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0161796-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0245956-84
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0245978-88
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0372191-55
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0659474-22
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0659472-31
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0527811-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Al2O3, ZnO 및 GaN을 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나인 기판과, 상기 기판의 전후면 중 어느 일면 상에 배치되고 특정원자가 도핑된 산화아연(ZnO) 및 특정원자가 도핑된 질화갈륨(GaN)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 신틸레이터층과, 상기 기판의 전후면 중 다른 일면에 적어도 하나의 광결정을 포함하는 신틸레이터 패널; 및 상기 기판의 광결정을 포함하는 면에 맞대어 결합되는 수광소자;를 포함하는 방사선 검출 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 신틸레이터층에서 특정원자는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 나트륨(Na) 및 탈륨(Tl) 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광결정은 적어도 하나의 홀 또는 기둥을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
6 6
제 5항에 있어서, 상기 광결정은 상기 기둥의 단면이 원형, 육각형 및 사각형 구조 중에서 선택된 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
7 7
삭제
8 8
제 5항에 있어서, 상기 광결정은 상기 기둥의 배열이 직사각형 배열 및 육각형 배열 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
9 9
기판의 제1면에 신틸레이터층을 증착하는 단계; 상기 기판의 제2면에 광결정 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 광결정 패턴이 형성된 면에 수광소자를 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 광결정 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판의 제2면 상에 마스크 물질층을 형성하고 상기 마스크 물질층을 패터닝하여 패터닝된 마스크를 형성하는 단계; 상기 패터닝된 마스크를 이용하여 상기 기판의 제2면을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 마스크 물질층은 금속 재료, 산화계 재료, 질화계 재료 및 PR(photo resist)중에서 선택된 적어도 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 금속 재료는 Cr, Ag, Al, Au, Ti 및 Cu 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 산화계 재료는 SiO2, ITO(Indium tin oxide), ZnO, 갈륨이 도핑된 산화아연(Gallium doped ZnO) 및 인듐도핑된 산화아연(Indium doped ZnO)중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
13 13
제 10항에 있어서, 상기 질화계 재료는 SiN, TiN 및 Si3N4 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
14 14
제 9항에 있어서, 상기 광결정 패턴을 형성하는 단계는 나노임프린팅 식각공정 또는 홀로그램 리소그래피 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
15 15
제 9항에 있어서, 상기 광결정 패턴을 형성하는 단계는 상기 광결정을 적어도 하나의 홀 또는 기둥모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치의 제조방법
16 16
제 9항에 있어서, 상기 광결정 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판의 제2면 상에 마스크 물질층을 형성하고 상기 마스크 물질층을 패터닝하여 패터닝된 마스크를 형성하는 단계; 상기 패터닝된 마스크를 이용하여 상기 기판의 제2면을 식각하는 단계를 포함하는 방사선 검출 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.