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발광다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174144
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기적 특성이 향상된 발광다이오드 및 그의 제조방법이 개시되어 있다. 발광다이오드는 기판 상에 형성된 제1 클래드층, 상기 제1 클래드층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 인(P)이 도핑된 산화아연계 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 발광다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층을 형성하는 단계, 상기 제1 클래드층 상에 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상에 도펀트가 첨가된 산화아연계 제2 클래드층을 형성하는 단계를 포함한다. 발광다이오드, 산화아연층, 도펀트, 인
Int. CL H01L 33/26 (2014.01)
CPC H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01)
출원번호/일자 1020080111823 (2008.11.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0052926 (2010.05.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 오민석 대한민국 광주광역시 북구
3 박태영 대한민국 광주광역시 북구
4 강장원 대한민국 광주광역시 북구
5 최용석 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0780429-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0340719-78
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0633792-38
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0140817-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 인(P)이 도핑된 산화아연계 제2 클래드층을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 클래드층에 접속하는 제1 전극; 및 상기 산화아연계 제2 클래드층 상에 직접적으로 접속하는 제2 전극을 더 포함하는 발광다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 양자점 구조 또는 다중양자우물 구조인 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제2 클래드층 상에 형성된 전류 확산층을 더 포함하는 발광 다이오드
5 5
기판 상에 제1 클래드층을 형성하는 단계; 상기 제1 클래드층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 인(P)이 도핑된 산화아연계 제2 클래드층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층 상에 각각 직접적으로 접속하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제2 클래드층은 MOCVD 기술을 이용하여 형성하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 제2 클래드층은 아연유기 전구체, 산소함유 물질 및 도펀트 소오스를 사용하여 형성하는 발광다이오드의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 아연유기 전구체는 디메틸아연(Zn(CH3)2), 디에틸아연(Zn(C2H5)2), 아연아세테이트(Zn(OOCCH3)2ㆍH2O), 아연아세테이트 무수물(Zn(OOCCH3)2) 또는 아연 아세틸아세토네이트(Zn(C5H7O2)2)인 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 산소함유 물질은 O2, O3, NO2, CO2 또는 C4H8O인 발광 다이오드의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 도펀트 소오스는 P2O5, PH3 또는 BPE인 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.