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캐스코드 구조의 증폭기

  • 기술번호 : KST2015174118
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 캐스코드 구조의 증폭기가 개시된다. 본 발명에 따른 증폭기는, 직렬로 접속되는 제1 MOSFET과 제2 MOSFET을 포함하고 상기 제1 MOSFET의 게이트 단에는 RF 입력 신호 단자가 연결되고 상기 제2 MOSFET의 드레인 단에는 DC 전압이 인가되며 상기 증폭기의 출력은 상기 제2 MOSFET의 드레인으로부터 취해지고, 상기 제2 MOSFET의 드레인 단에 고조파 제거를 위한 제1 LC 공진기가 마련되고, 상기 제2 MOSFET의 바디에 고조파 제거를 위한 제2 LC 공진기가 마련되는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면 증폭기의 선형성을 보다 향상시킬 수 있다. 캐스코드 구조, 전력 증폭기, 선형성, 공진기
Int. CL H03F 1/22 (2006.01)
CPC H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01)
출원번호/일자 1020080082922 (2008.08.25)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0984079-0000 (2010.09.17)
공개번호/일자 10-2010-0024179 (2010.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종수 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0603506-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062982-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0124509-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0333921-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0333910-82
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0412877-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐스코드 구조의 증폭기에 있어서, 직렬로 접속되는 제1 MOSFET과 제2 MOSFET을 포함하고 상기 제1 MOSFET의 게이트 단에는 RF 입력 신호 단자가 연결되고 상기 제2 MOSFET의 드레인 단에는 DC 전압이 인가되며 상기 증폭기의 출력은 상기 제2 MOSFET의 드레인으로부터 취해지고, 상기 제2 MOSFET의 드레인 단과 접지 사이에 고조파 제거를 위한, 직렬로 연결된 인덕터 및 캐패시터로 이루어지는 제1 LC 공진기가 마련되고, 상기 제2 MOSFET의 바디와 접지 사이에 고조파 제거를 위한, 직렬로 연결된 인덕터 및 캐패시터로 이루어지는 제2 LC 공진기가 마련되는 것을 특징으로 하는 증폭기
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 MOSFET의 바디와 소스 단이 연결되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 증폭기
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 MOSFET의 바디와 소스 단이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 증폭기
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 MOSFET 또는 상기 제2 MOSFET은 Si CMOS인 것을 특징으로 하는 증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.