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단일모드 SOI 광도파로와 광섬유간 연결을 위한 모드 변환기 구조

  • 기술번호 : KST2014009793
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 모드 변환기가 개시된다. 모드 변환기는 복수의 층으로 적층되고, 제1면과 제2면을 가지며, 상기 제1면으로부터 상기 제2면으로 테이퍼지며, 가변 굴절율을 가지는 물질로 이루어진 적층 구조와, 상기 제1면과 상기 제2면 사이의 소정 위치에 위치하는 코아 물질의 단부에서 시작되어 상기 단부로부터 멀어지는 방향으로 폭이 넓어지도록 테이퍼진 SOI 도파로를 포함한다. 상기 적층 구조의 테이퍼는 상기 제1면으로부터 상기 제2면으로 갈수록 폭이 좁아진다. SOI 도파로의 단부는 상기 적층 구조의 초점 거리에 배치된다. 다른 SOI 도파로에 의해 지지된 것 보다 더 큰 모드 스팟 사이즈(spot size)를 받아들일 수 있고, 광빔의 주기적인 집속 현상을 효과적으로 줄일 수 있다. 초점 거리, GRIN 적층 구조, 집속형 굴절율
Int. CL G02B 6/14 (2006.01)
CPC G02B 6/14(2013.01) G02B 6/14(2013.01) G02B 6/14(2013.01) G02B 6/14(2013.01) G02B 6/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070094872 (2007.09.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0899933-0000 (2009.05.21)
공개번호/일자 10-2009-0029548 (2009.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재형 대한민국 광주 북구
2 Sweet Khisa 방글라데시 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김삼용 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) (인비전 특허법인)
2 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)
3 이재관 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0676203-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062031-80
4 등록결정서
Decision to grant
2009.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0179874-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 층으로 적층되고, 제1면과 제2면을 가지며, 상기 제1면으로부터 상기 제2면으로 테이퍼지며, 가변 굴절율을 가지는 물질로 이루어진 적층 구조; 및 상기 제1면과 상기 제2면 사이의 소정 위치에 위치하는 코아 물질의 단부에서 시작되어 상기 단부로부터 멀어지는 방향으로 폭이 넓어지도록 테이퍼진 SOI 도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
2 2
제1항에 있어서, 상기 적층 구조의 테이퍼는 상기 제1면으로부터 상기 제2면으로 갈수록 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
3 3
제2항에 있어서, 상기 SOI 도파로의 코아 물질의 단부는 상기 SOI 도파로의 Si 코아에 해당되는 팁을 가지고, 상기 팁을 가지는 단부는 상기 적층 구조의 초점 거리 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
4 4
제2항에 있어서, 상기 적층 구조는 이차함수 형태의 굴절률 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
5 5
제4항에 있어서, 상기 적층 구조의 초점 거리는 상기 적층 구조의 이차함수 형태의 굴절률 프로파일에 의해 도출되는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
6 6
제1항에 있어서, 상기 적층 구조의 굴절율은 세로 방향으로 1
7 7
제1항에 있어서, 상기 SOI 도파로의 테이퍼 길이는 5 ㎛ 보다 작은 것을 특징으로 하는 모드 변환기
8 8
제1항에 있어서, 상기 적층 구조의 테이퍼는 선형 테이퍼 형상, 파라볼릭 테이퍼 형상 및 지수함수 테이퍼 형상 중 적어도 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
9 9
제1항에 있어서, 상기 단부는 상기 적층 구조 내부에 포함되는 것을 특징으로 하는 모드 변환기
10 10
광섬유를 SOI(silicon on insulator) 도파로에 연결하는 결합구조에 있어서, 광섬유로부터 출력된 광이 입력되는 입력면과 광이 출력되는 출력면을 가지고, 복수의 층으로 적층되고, 측방향으로 테이퍼지며, 가변 굴절률을 갖는 적층구조; 및 상기 입력면과 상기 출사면 사이의 소정 위치에 위치하는 코아 물질의 단부에서 시작되어 상기 단부로부터 멀어지는 방향으로 폭이 넓어지는 테이퍼구조를 가지며, 상기 적층구조로부터의 축소된 모드 스팟 사이즈로 광을 수신하는 SOI 도파로를 포함하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
11 11
제10항에 있어서, 상기 광섬유는 단일 모드 광섬유이고, 상기 적층 구조는 적어도 하나의 모드를 지원하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
12 12
제10항에 있어서, 상기 SOI 도파로는 기본 모드만 지원하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
13 13
제10항에 있어서, 상기 적층구조는 가로 방향으로 축소된 모드 스팟 사이즈로 광을 출력하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
14 14
제10항에 있어서, 상기 적층 구조는 2차 함수적으로 변하는 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
15 15
제10항에 있어서, 상기 SOI 도파로의 코아 물질의 단부는 상기 SOI 도파로의 코아 물질에 해당되는 팁을 가지고, 상기 팁을 가지는 단부는 상기 적층구조의 초점 거리에 위치하는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
16 16
제10항에 있어서, 상기 단부는 상기 SOI 도파로의 코아 물질에 해당되는 팁을 가지고, 상기 팁을 가지는 단부는 상기 적층 구조 내부에 포함되는 것을 특징으로 하는 광섬유를 SOI 도파로에 연결하는 결합구조
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