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ＲＣＥ-ＰＤ의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015173974
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DBR을 사용하는 RCE-PD 소자를 제조함에 있어서, VCSEL용 에피 웨이퍼를 사용하여 제작할 경우, RCE-PD의 상단 DBR 일부 층을 식각하여 높은 양자효율을 얻도록 반사율을 RCE-PD에 최적화시킴과 동시에 공진 파장을 튜닝시켜 장파장 또는 단파장 쪽으로 조절하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명은 기판 상에 하단 DBR, N-전극 유전체 층, 흡수영역을 갖는 공진부, P-전극 유전체 층, 상단 DBR을 순차적으로 형성한 VCESL용 웨이퍼를 준비하는 제1과정과, 상기 상단 DBR 일부 층을 식각하여 상기 상단 DBR의 반사율이 RCE-PD의 동작에 적합하도록 공진 파장을 튜닝하는 제2과정과, 상기 식각된 상단 DBR과, P-전극 유전체 층과 공진부 및 N-전극 유전체 층을 원통형으로 각각 식각하여 N-전극 및 P-전극이 형성되는 RCE-PD를 제조하는 제3과정을 포함한다. 따라서, VCSEL 에피 웨이퍼를 사용하여 제작될 경우, 양방향 VCSEL 발진 파장과 RCE-PD의 공진파장 불일치 문제를 해결할 수 있고 VCSEL과 RCE-PD의 모노리식 집적이 가능하게 하는 효과가 있다. DBR, 공진부, 양자 우물, 광수신기, 표면 광 레이저
Int. CL H01S 5/183 (2006.01)
CPC H01S 5/06256(2013.01) H01S 5/06256(2013.01) H01S 5/06256(2013.01)
출원번호/일자 1020050076020 (2005.08.19)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0734565-0000 (2007.06.26)
공개번호/일자 10-2007-0021599 (2007.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20070703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.19)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정일석 대한민국 광주 북구
2 이용탁 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 최태창 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0455514-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0072926-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0676283-71
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0044836-17
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0044750-89
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0061708-14
8 의견서
Written Opinion		 2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0061663-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0325392-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
공진 구조 광수신기(RCE-PD)의 제조 방법으로서, 기판 상에 하단 유전체 거울(DBR), N-전극 유전체 층, 흡수영역을 갖는 공진부, P-전극 유전체 층, 및 상단 DBR이 순차적으로 형성된 VCSEL용 에피 웨이퍼를 준비하는 제1과정과, 상기 상단 DBR 일부 층을 식각하되, 적정 식각점과 비교하여 식각 깊이를 조절함으로써 RCE-PD의 공진 파장을 튜닝하는 제2과정과, 상기 P-전극 유전체 층과 상기 N-전극 유전체 층이 각각 접속되도록 N-전극 및 P-전극을 형성하는 제3과정을 포함하되,상기 적정 식각점은 상기 상단 DBR의 반사율이 하기 수학식1을 만족시키도록 식각된 경우인 RCE-PD의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제2과정에서의 상단 DBR 일부 층을 상기 적정식각점 보다 더 식각할 경우, 상기 공진 파장이 단파장으로 튜닝되는 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제2과정에서의 상단 DBR 일부 층을 상기 적정 식각점 보다 덜 식각할 경우, 상기 공진 파장이 장파장으로 튜닝되는 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 공진 파장은, (수학식2) (여기서, Φtop는 상단 DBR에서 반사될 때 갖게 되는 위상변화이고, Φbot는 하단 DBR에서 반사될 때 갖게 되는 위상변화이며, nd는 공진부의 광학적 두께(물리적 두께와 굴절률의 곱)이며, i는 정수이다
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 식각은, 간섭계(laser interferometer)가 장착된 건식 식각인 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 흡수 영역은, 양자 우물 및 베리어(barrier)의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
7 7
RCE-PD의 제조 방법으로서, 기판 상에 하단 DBR, N-전극 유전체 층, 흡수영역을 갖는 공진부, P-전극 유전체 층, 및 상단 DBR이 순차적으로 형성되며, 상기 상단 DBR이 하기 수학식1을 만족시키도록 형성된 RCE-PD용 에피 웨이퍼를 준비하는 제11과정과, 상기 상단 DBR의 최외각층 위에 소정 두께의 유전체층을 증착하거나 상기 상단 DBR의 최외각층의 일부를 식각함으로써 RCE-PD의 공진 파장을 튜닝하는 제21과정과, 상기 P-전극 유전체 층과 상기 N-전극 유전체 층이 각각 접속되도록 N-전극 및 P-전극을 형성하는 제31과정을 포함하는 RCE-PD의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제21과정에서 상기 증착되는 유전체층은 상기 상단 DBR의 최외각층 보다 굴절율이 작으며, 이 경우, 상기 공진 파장은 장파장으로 튜닝되는 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 증착 두께는, 증착되는 유전체층과 상기 상단 DBR의 최외각층의 굴절률의 비를 보정하여 결정하는 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 제21과정에서의 상기 상단 DBR의 일부 식각에 의해, 상기 공진 파장은 단파장으로 튜닝되는 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 흡수 영역은, 헤테로 구조 혹은 증폭층이 첨가된 APD 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 RCE-PD의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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