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ｐ형 산화아연 반도체를 이용한 산화아연 단파장 발광소자 제작방법

  • 기술번호 : KST2015173873
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 제작 방법에 관한 것으로, 베이스 기판 상부에 n형 산화아연 박막을 성장시키는 단계와, 상기 n형 산화아연 박막 상부에 p형 산화아연 박막을 성장시키는 단계와, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 상기 n형 산화아연 박막과 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함한다. p형 산화아연 반도체, p-n 접합, 발광 소자, 열처리
Int. CL H01L 33/24 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020030061889 (2003.09.04)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0693407-0000 (2007.03.05)
공개번호/일자 10-2005-0024078 (2005.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20070312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 임재홍 대한민국 광주광역시 북구
3 오진용 대한민국 광주광역시 북구
4 황대규 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-0332385-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036026-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0421768-65
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0612998-37
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0695820-09
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0779554-06
10 의견서
Written Opinion		 2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-5155156-18
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0157048-74
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0356486-79
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0432335-55
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0528348-11
15 의견서
Written Opinion		 2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0528351-59
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0532733-83
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.11.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0037919-94
18 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0758161-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
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접합 발광 다이오드의 형성에 있어서, 산화아연 기판 상부에 p형 산화아연 박막을 성장시키는 단계, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 산화아연 기판 상부와 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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접합 발광 다이오드의 형성에 있어서, 베이스 기판 상부에 n형 산화아연 박막을 성장시키는 단계, 상기 n형 산화아연 박막 상부에 p형 질화갈륨 박막과 p형 산화아연 박막을 순차적으로 성장시키는 단계, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 상기 n형 산화아연 박막과 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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접합 발광 다이오드의 형성에 있어서, 베이스 기판 상부에 n형 질화갈륨 박막을 성장시키는 단계, 상기 n형 질화갈륨 박막 상부에 p형 질화갈륨 박막과 p형 산화아연 박막을 순차적으로 성장시키는 단계, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 상기 n형 질화갈륨 박막과 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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제 11항에 있어서, 베이스 기판은 산화알루미늄(사파이어), 실리콘(Si), 비소화갈륨(GaAs), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO)에서 선택되는 1종 이상의 원소 또는 화합물이 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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제 11항에 있어서, n형 산화아연 박막 증착시 사용되는 도판트 물질은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In)에서 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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제 11항에 있어서, p형 산화아연 박막 증착시 사용되는 도판트 물질은 인(P), 레늄(Re), 리튬(Li), 나트륨(Na) 칼륨(K), 세슘(Cs), 안티모니(Sb), 납(Pb) 에서 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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제 11항에 있어서, 열처리는 300~1500℃ 에서 1~1000초간 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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제 11항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 박막층의 두께는 1~1,000nm인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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접합 발광 다이오드의 형성에 있어서, 산화아연 기판 상부에 p형 질화아연 박막과 p형 산화아연 박막을 순차적으로 성장시키는 단계, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 산화아연 기판 상부와 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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접합 발광 다이오드의 형성에 있어서, 산화아연 기판 상부에 p형 질화아연 박막과 p형 산화아연 박막을 순차적으로 성장시키는 단계, 상기 p형 산화아연 박막을 열처리 하여 활성화시키는 단계, 및 산화아연 기판 상부와 p형 산화아연 박막 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제작 방법
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