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질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173884
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 주석 산화물 보다 더 큰 일함수 값을 갖는 투명 전도성 산화물을 질화물계 발광소자의 투명전극으로 적용한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 오믹컨택트층이 순차적으로 적층 되어 있고, 오믹컨택트층은 인듐주석 산화물 보다 큰 일함수 값을 지닌 투명 전도성 산화물 박막 층 단독 또는 금속이 도판트로 첨가된 박막층으로 형성된다. 이러한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 투명전극이 갖는 높은 빛 투과성으로 인해 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030080719 (2003.11.14)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0647279-0000 (2006.11.10)
공개번호/일자 10-2005-0046455 (2005.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20061117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.14)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 송준오 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0430558-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5169808-16
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0498731-88
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053326-28
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0495092-77
10 의견서
Written Opinion		 2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0683123-68
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0683124-14
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0162602-87
13 의견서
Written Opinion		 2006.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0364878-06
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0364880-98
15 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0548212-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 투명 전도성 산화물로 형성된 오믹컨택트층;을 구비하고,상기 투명 전도성 산화물은 갈륨, 인듐 및 산소를 주성분으로 하여 형성된 제1 투명 전도성 산화물, 아연, 인듐 및 산소를 주성분으로 하여 형성된 제2 투명 전도성 산화물, 갈륨, 인듐, 주석 및 산소를 주성분으로 하여 형성된 제3 투명 전도성 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 상기 주성분에 대해 전기적 특성을 조절하기 위한 금속이 도판트로서 더 포함된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물에 대한 상기 도판트의 첨가비는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt 원소 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 화합물과, TiN 중 어느 하나로 형성된 보호층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 상부에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 금속 캡핑층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 금속 삽입층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
9 9
제8항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 상기 주성분에 대해 전기적 특성을 조절하기 위한 금속이 도판트로서 더 포함된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계에서 상기 투명 전도성 산화물에 대한 상기 도판트의 첨가비는 0
11 11
제8항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 상부에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하여 금속 캡핑층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt를 포함하는 원소 중 적어도 하나를 포함하여 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 화합물과 TiN 중 적어도 하나를 포함하여 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
14 14
제8항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하여 금속 삽입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
15 15
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 투명 전도성 산화물로 형성된 오믹컨택트층;과상기 오믹컨택트층 상부에 Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 금속 캡핑층;을 구비하고,상기 투명 전도성 산화물은 아연, 인듐, 주석 및 산소를 주성분으로 하여 형성된 제4투명 전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
16 16
제15항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물은 상기 주성분에 대해 전기적 특성을 조절하기 위한 금속이 도판트로서 더 포함된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
17 17
제16항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물에 대한 상기 도판트의 첨가비는 0
18 18
제15항에 있어서, 상기 금속 캡핑층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt 원소 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
19 19
제18항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 화합물과, TiN 중 어느 하나로 형성된 보호층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
20 20
제15항 내지 제19항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 금속 삽입층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
21 21
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
22 22
제21항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물은 상기 주성분에 대해 전기적 특성을 조절하기 위한 금속이 도판트로서 더 포함된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계에서 상기 투명 전도성 산화물에 대한 상기 도판트의 첨가비는 0
24 24
제21항에 있어서, 상기 금속 캡핑층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt를 포함하는 원소 중 적어도 하나를 포함하여 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn 중 적어도 하나를 포함하는 화합물과 TiN 중 적어도 하나를 포함하여 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
26 26
제21항 내지 제25항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하여 금속 삽입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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1 EP01531499 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01531499 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01531499 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05322367 JP 일본 FAMILY
5 JP17150741 JP 일본 FAMILY
6 US07482639 US 미국 FAMILY
7 US07880191 US 미국 FAMILY
8 US07964889 US 미국 FAMILY
9 US20050104077 US 미국 FAMILY
10 US20090095976 US 미국 FAMILY

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1 CN100401539 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1617365 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1531499 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1531499 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1531499 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2005150741 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5322367 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2005104077 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2009095976 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US7482639 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US7964889 US 미국 DOCDBFAMILY
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