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ＭＣＶＤ를 사용한 광도파관 회로 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174371
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 석영 유리관 양단이 부분 콜랩싱된 후에 불순물 성분이 도핑되어 불순물 도핑 공정이 안정적으로 수행되고 도핑된 불순물 성분의 양이 증가될 수 있는 수정된 화학 기상 증착법을 사용하여 광섬유 프리폼을 제조하는 방법 및 이 방법을 사용하여 제조된 비선형 광섬유가 개시된다. 이 방법은 석영 유리관에 클래딩층과 코어층을 형성하는 단계; 코어층을 부분 소결하는 단계; 클래딩층 및 부분 소결된 코어층이 형성된 석영 유리관의 양단을 부분 수축시키는 단계; 및 코어층의 소결된 부분을 불순물 성분으로 도핑하는 단계를 포함하고, 이로 인해 제조된 광섬유 프리폼이 소정의 기능을 갖게 된다. 수정된 화학 기상 증착법(MCVD), 광섬유 프리폼, 비선형 광섬유
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C03B 37/018 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020027015298 (2002.11.14)
출원인 (주)옵토네스트, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0572202-0000 (2006.04.12)
공개번호/일자 10-2003-0009488 (2003.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060418) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2002/000417 (2002.03.11)
국제공개번호/일자 WO2002074708 (2002.09.26)
우선권정보 대한민국  |   1020010013531   |   2001.03.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020057022497;
심사청구여부/일자 Y (2003.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)옵토네스트 대한민국 광주광역시 북구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원택 대한민국 광주광역시광산구
2 조정식 대한민국 전라남도담양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)옵토네스트 대한민국 광주광역시 북구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 2002.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-0376167-39
2 보정통지서
Request for Amendment		 2002.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0083117-66
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2002-0092777-34
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-5293988-66
5 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0421906-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
7 출원심사청구서
Request for Examination		 2003.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0488121-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0368752-57
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0528500-21
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0618192-95
12 보정요구서
Request for Amendment		 2005.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0112877-10
13 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0643849-69
14 수수료 등의 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.		 2005.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0115128-67
15 국제특허분할출원서
Divisional Application for International Patent		 2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0680882-78
16 의견서
Written Opinion		 2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0681535-18
17 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0681534-73
18 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0036934-52
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5031911-19
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021419-15
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번호 청구항
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실리콘 웨이퍼에 버퍼 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 버퍼 클래딩층에 다공성 코어층을 형성하는 단계; 상기 다공성 코어층을 나노 사이즈의 반도체 미립자로 도핑하여 도핑된 코어층을 형성하는 단계; 상기 도핑된 코어층을 소결시키는 단계; 상기 도핑된 코어층을 패터닝하여 코어 부분을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼 클래딩층과 상기 코어 부분위에 상위 클래딩층을 형성하는 단계를 포함하는 평면 광도파관 회로의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼에 SiO2-P2O5 또는 SiO2-P2O5-B2O3 로 구성된 제 1 퇴적물을 FHD(화염 가수분해 증착)법으로 증착하는 단계; 상기 제 1 퇴적물을 고온 전기로에서 소결시켜 버퍼 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 버퍼 클래딩층에 상기 버퍼 클래딩층보다 큰 굴절률을 갖는 SiO2-GeO2-P2O5, SiO2-GeO2-B2O3 또는 SiO2-GeO2-P2O5-B2O3 로 구성된 제 2 퇴적물을 FHD법으로 증착하여 다공성 코어층을 형성하는 단계; 상기 다공성 코어층으로 증착된 실리콘 웨이퍼를 반도체 미립자가 들어있는 용액에 함침시켜 도핑된 코어층을 형성하는 단계; 상기 도핑된 코어층을 소결시키는 단계; 상기 도핑된 코어층에 반응성 이온 에칭(RIE)을 행하여 광도파관으로서 이용될 코어 부분을 남게 하는 단계; 원래의 유리층과 같은 조성을 갖는 제 3 퇴적물을 FHD법을 사용하여 상기 버퍼층 및 상기 코어 부분위에 증착하는 단계; 및 상기 제 3 퇴적물을 소결시켜 상위 클래딩층을 형성하는 단계를 포함하는 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe중 적어도 하나로 구성된 방법
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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판상에 형성된 버퍼 클래딩층; 상기 버퍼 클래딩층상에 형성되는, 나노 사이즈의 반도체 미립자로 도핑된 코어; 및 상기 버퍼 클래딩층 및 상기 코어위에 형성된 상위 클래딩층을 포함하는 평면 광도파관 회로
13 13
제 12항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe중 적어도 하나로 구성된 평면 광도파관 회로
14 13
제 12항에 있어서, 상기 반도체 미립자는 PbTe, PbS, SnTe, CuCl, CdS 및 CdSe중 적어도 하나로 구성된 평면 광도파관 회로
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번호 국가명
1 가나,케냐,수단,시에라리온,스와질랜드,탄자니아,우간다,잠비아,짐바브웨
2 아르메니아,아제르바이잔,벨라루스,키르키즈스탐,카자흐스탄,몰도바,러시아,타지키스탄
3 오스트리아,벨기에,스위스,사이프러스,독일,덴마크,스페인,핀란드,프랑스,영국,그리스,아일랜드,이탈리아,룩셈부르크,모나코,네덜란드,포르투칼,스웨덴,터어키
4 부르키나파소,베닌,중앙아프리카,콩고,코트디브와르,카메룬,가봉,모리타니,니제르,세네갈,토고
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1458909 CN 중국 FAMILY
2 JP16519403 JP 일본 FAMILY
3 KR100650036 KR 대한민국 FAMILY
4 KR1020020073748 KR 대한민국 FAMILY
5 US06898357 US 미국 FAMILY
6 US20020131736 US 미국 FAMILY
7 WO2002074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CA2409187 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
2 CA2409187 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
3 CN1303444 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN1458909 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 CN1629666 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2004519403 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 KR100650036 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 KR20020073748 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
11 KR20060002018 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
12 KR20060002018 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
13 US2002131736 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US6898357 US 미국 DOCDBFAMILY
15 WO02074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
16 WO02074708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.