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플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173837
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 있고, 멀티 오미컨택트층은 개질금속층/투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 한 조 이상이 반복 적층되어 있으며, 개질 금속층은 은(Ag)을 주성분으로 하여 형성된다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율을 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명이 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030094684 (2003.12.22)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0590532-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자 10-2005-0063293 (2005.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 송준오 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0489461-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5169808-16
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0498733-79
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058924-83
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0541120-82
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-5153824-52
11 의견서
Written Opinion		 2006.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0047366-39
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0047367-85
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0206871-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖고, 상기 p형 클래드층 위에 반사층이 마련된 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층과 상기 반사층 사이에 마련되는 것으로, 은(Ag)을 주성분으로 하는 개질금속층과, 투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 두 조 이상이 반복 적층된 멀티 오믹컨택트층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고,상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고,상기 투명 전도성 질화물은 티탄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 개질금속층은 1 나노미터 내지 20 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 반사층은 은(Ag), 은산화물(Ag2O), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 티탄(Ti), 로듐(Rh), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 및 루테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상의 원소로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터로 형성되고, 상기 반사층은 100 나노미터 내지 1000 나노미터로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
6 6
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖고, 상기 p형 클래드층 위에 반사층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,기판 위에 상기 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층된 발광구조체의 상기 p형 클래드층 위에 은(Ag)을 주성분으로 하는 개질금속층과 투명 전도성 박막층을 적층 반복 단위로 하여 적어도 두 조 이상을 적층하여 멀티 오믹컨택트층을 형성하는 단계와;상기 멀티 오믹 컨택트층 위에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고,상기 투명 전도성 질화물은 티탄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 개질금속층은 1 나노미터 내지 20 나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 멀티 오믹컨택트층을 형성하는 단계 이후 또는 상기 반사층을 형성하는 단계 이후에 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층은 은(Ag), 은산화물(Ag2O), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 티탄(Ti), 로듐(Rh), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 및 루테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상의 원소로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
11 10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층은 은(Ag), 은산화물(Ag2O), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 티탄(Ti), 로듐(Rh), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 및 루테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상의 원소로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05084101 JP 일본 FAMILY
2 JP17184006 JP 일본 FAMILY
3 US07190002 US 미국 FAMILY
4 US07491564 US 미국 FAMILY
5 US20050133803 US 미국 FAMILY
6 US20070122925 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2005184006 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5084101 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2005133803 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2007122925 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7190002 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7491564 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.