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탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173907
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서 탑에미트형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있게 전도성을 갖는 소재로 30마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과, p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과, 표면 보호층과 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층을 구비한다. 이러한 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 높은 빛 투과성을 제공하여 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H05B 33/26 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040016271 (2004.03.10)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0601945-0000 (2006.07.10)
공개번호/일자 10-2005-0090919 (2005.09.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 김경국 대한민국 경기도시흥시
3 송준오 대한민국 광주광역시북구
4 임동석 대한민국 광주광역시북구
5 손정인 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-0100312-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5169808-16
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0498734-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0659497-56
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-5017224-56
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0214433-74
10 의견서
Written Opinion		 2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0214431-83
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0289631-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
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번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 전도성을 갖는 소재로 1 나노미터 이상 30 마이크로미터 이하의 폭을 갖는 크기의 셀을 상호 이격되게 격자형태로 형성된 격자셀층과;상기 p형클래드층 표면을 보호할 수 있도록 적어도 상기 셀 사이 영역을 커버할 수 있게 상기 p형클래드층 위에 형성된 표면 보호층과;상기 표면 보호층과 상기 격자셀층 위에 투명 전도성 소재로 형성된 투명 전도성 박막층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 격자셀층은 전도성 및 갈륨관련 화합물을 형성할 수 있는 소재로서 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 플라티늄(Pt), 루세늄(Ru), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 이들로 형성된 합금 또는 고용체 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 적용하여 단층 또는 다층으로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면 보호층은 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 루세늄(Ru), 플라티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co), 인듐(In), 주석(Sn), 란탄 계열의 원소, 이들 금속들로 형성된 합금 또는 고용체, 및 천이금속으로 형성된 질화물들 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 적용하여 단층 또는 다층으로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막층은 투명 전도성 산화물(TCO)과 투명 전도성 질화물(TCN) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 란탄(La) 원소계열의 금속들 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합되어 형성된 것을 포함하고,상기 투명 전도성 질화물은 타이타늄(Ti)과 질소(N)를 함유하여 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 격자셀층은 1 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 표면 보호층은 1 나노미터 이상 20 나노미터 이하의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 박막층은 10 나노미터 내지 1000 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자
8 8
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
9 9
제8항에 있어서, 상기 가 단계는 상기 전도성 물질을 상기 p형클래드층 위에 형성한 다음 열을 가해 이산되도록 처리하는 열분산법 또는 새도우 마스크를 이용하여 증착하는 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
10 9
제8항에 있어서, 상기 가 단계는 상기 전도성 물질을 상기 p형클래드층 위에 형성한 다음 열을 가해 이산되도록 처리하는 열분산법 또는 새도우 마스크를 이용하여 증착하는 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 탑에미트형 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05220984 JP 일본 FAMILY
2 JP17260244 JP 일본 FAMILY
3 US08395176 US 미국 FAMILY
4 US20050199888 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2005260244 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5220984 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2005199888 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8395176 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.