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플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174671
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 플립칩형 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 있고, p형 클래드층 위에 구리로 형성된 오믹 콘택트층과, 오믹 콘택트층 상부에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층을 구비한다. 이러한, 플립칩형 질화물계 발광소자 및 제조방법에 의하면, 산화에 안정적이며 낮은 비접촉 저항을 갖는 전극구조체의 적용에 의해 전류-전압 특성이 개선되고 내구성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020030078540 (2003.11.07)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0580627-0000 (2006.05.09)
공개번호/일자 10-2005-0044032 (2005.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 송준오 대한민국 광주광역시북구
3 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2003-0420258-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0395294-99
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5142792-97
6 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0397025-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0490345-62
10 의견서
Written Opinion		 2005.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0686033-72
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0686034-17
12 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0162623-35
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 구리로 형성된 오믹 콘택트층과;상기 오믹 콘택트층 상부에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 오믹 콘택트층과 반사층 사이에 니켈로 형성된 중간 삽입층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
4 4
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 니켈로 형성된 오믹 콘택트층과;상기 오믹 콘택트층 위에 구리로 형성된 중간 삽입층; 및상기 중간 삽입층 위에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
6 6
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
7 7
제6항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 오믹 콘택트층과 상기 반사층 사이에 니켈로 중간 삽입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
10 10
제9항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
11 10
제9항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.