맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자기정렬 릿지 도파로의 반도체 레이저 다이오드 구조

  • 기술번호 : KST2015173875
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화기술을 이용한 자기정렬 구조의 릿지 반도체 레이저 다이오드 구조에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 반도체 기판 위에 하부 클래딩층, 하부 도파로층, 활성층, 상부 도파로층, 산화가 가능한 상부 클래딩층 및 산화가 일어나기 어려운 오믹접촉층을 순차적으로 증착하여 릿지 반도체 레이저 다이오드 기본구조를 형성하는 단계와; 상기 구조 상에서 산화 실리콘층 혹은 질화 실리콘층을 증착후, 이것을 식각 마스크로 하여 오믹 접촉층 과 상부 클래딩층의 일정 두께까지 식각하여 식각 마스크 하부에 오믹접촉층 및 상부 클래딩층 패턴을 형성하여 릿지구조를 형성하는 단계와; 상기 결과물에 산화 공정을 진행하여 노출된 상부 클래딩층의 일부 표면을 전기가 통하지 않는 산화물로 변환시키는 단계와; 상기 식각 마스크인 산화 실리콘층 혹은 질화 실리콘층을 제거한 후 전표면에 p-금속층을 증착하는 단계와; 상기 결과물에 래핑 공정 후 n-금속층 증착 및 열치리 공정 단계를 포함하는 자기정렬 릿지 도파로 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 제시한다.본 발명에 의하면 릿지 도파로 반도체 레이저 다이오드의 특성을 획기적으로 개선하고, 레이저 다이오드 제작공정의 수율 및 균일도를 개선하여 고성능 저가의 광모듈을 제작할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드, 릿지 도파로, 산화, 자기정렬
Int. CL H01S 5/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030061296 (2003.09.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0587712-0000 (2006.06.01)
공개번호/일자 10-2005-0024522 (2005.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20060609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.03)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배성주 대한민국 광주광역시북구
2 이용탁 대한민국 광주광역시북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0329219-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035701-25
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0484694-95
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0681731-61
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0776650-66
9 의견서
Written Opinion		 2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0776645-37
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0202030-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
InP를 기판으로 하고 하부 클래딩층, 하부 도파로, 활성층, 상부 도파로층, 상부 클래딩층, 상부 오믹접촉층 으로 구성된 장파장(1
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 상부 클래딩층에는 전류 입구의 구조가 단순 스트라입 구조 뿐만 아니라 테이퍼 구조 등을 포함하는 다양한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 구조
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.