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ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 및 이에적용되는 ｐ-형 전극

  • 기술번호 : KST2015173835
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체 층에 형성되는 것으로 아연에 용질원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층; 그리고 상기 제 1 층 상부에 적층되는 것으로 Co, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, ITO, ZnO 로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의한 제 2 층을 포함한다. 아연계 p-형 전극은 우수한 전기, 광학 및 열적 특성을 나타내 보인다. GaN, 오믹콘택트, Zn
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030075219 (2003.10.27)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0647278-0000 (2006.11.10)
공개번호/일자 10-2005-0040069 (2005.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20061117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020050115061;
심사청구여부/일자 Y (2003.10.27)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 경기도화성군
2 성태연 대한민국 광주광역시북구
3 남옥현 대한민국 서울특별시강남구
4 송준오 대한민국 광주광역시북구
5 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0402216-79
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2003.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-5205469-20
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0427117-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2003-5079986-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053141-89
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0492805-10
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0694383-79
13 특허분할출원서
Divisional Application of Patent		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0695966-55
14 의견서
Written Opinion		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0694381-88
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0199038-91
16 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0385597-18
17 의견서
Written Opinion		 2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0385596-62
18 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0542210-06
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
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번호 청구항
1 1
III-V족 질화물 화합물 반도체 층에 형성되는 것으로 아연에 용질원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층; 그리고 상기 제 1 층 상부에 적층되는 것으로 {Co, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, ITO, ZnO }로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의한 제 2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GAN 계 화합물 반도체의 전극
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 층의 아연계 물질은 합금 및 고용체(solid solution) 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 아연계 물질은 {Ni, Mg, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Ag}로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 용질 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 {Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 {Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
7 7
제 3 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
8 8
제 4 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
9 9
제 5 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 층 및 제 2 층은 0
11 11
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 층, 제 2 층 및 이들 사이의 중간층은 0
12 12
제 5 항에 있어서,상기 제 1 층, 제 2 층 및 이들 사이의 중간층은 0
13 13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 층은 GaN 또는 AlxInyGazN (0〈x+y+z〈1) 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체의 전극
14 14
제 1 항에 있어서,상기 제1층 및 제2층이 적어도 산소가 포함된 분위기에서 열처리 된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 전극
15 15
발광을 위한 활성층을 포함하는 다중 적층에 의한 GaN 계 화합물 반도체 층; 상기 GaN 계 화합물반도체 층 상에 형성되는 p-형 반도체 층; 상기 p-형 반도체 층 상에 형성되는 p-형 전극층을 포함하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체에 있어서,상기 전극층은: 상기 p형 반도체 층에 형성되는 것으로 아연에 용질원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층과; 상기 제 1 층 상부에 적층되는 것으로 {Co, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Al, ITO, ZnO }로 구성되는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의한 제 2 층을;포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
16 16
제 15 항에 있어서,상기 제 1 층의 아연계 물질은 합금 및 고용체(solid solution) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
17 17
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 아연계 물질은 {Ni, Mg, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb} 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 용질 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
18 18
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 {Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
19 19
제 17 항에 있어서,상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 {Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
20 20
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
21 21
제 17 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
22 22
제 18 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
23 23
제 19 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질원소의 성분의 양은 0
24 24
제 18 항에 있어서,제 1 층 및 제 2 층은 0
25 25
제 20 항에 있어서,제 1 층, 제 2 층 및 이들 사이의 중간층은 0
26 26
제 21 항에 있어서,제 1 층, 제 2 층 및 이들 사이의 중간층은 0
27 27
제 15항 또는 제 16 항에 있어서,상기 반도체 층은 GaN 또는 AlxInyGazN (0〈x+y+z〈1) 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN 계 화합물 반도체
28 28
제 15 항에 있어서,상기 전극층은 적어도 산소가 포함된 분위기에서 열처리 된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체
29 28
제 15 항에 있어서,상기 전극층은 적어도 산소가 포함된 분위기에서 열처리 된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체
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1 EP01536481 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01536481 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01536481 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05128755 JP 일본 FAMILY
5 JP17136415 JP 일본 FAMILY
6 US07285857 US 미국 FAMILY
7 US20050087758 US 미국 FAMILY

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1 CN100490078 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1612300 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1536481 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1536481 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1536481 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2005136415 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5128755 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2005087758 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US7285857 US 미국 DOCDBFAMILY
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