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ｐ형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174762
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법에 관한 것으로, 산화 알루미늄 기판 상부에 p형 아연 산화물층을 적층하는 과정, 상기 p형 아연 산화물층 상부에 전이금속층을 적층하는 과정, 상기 전이금속층 상부에 귀금속층을 적층하는 과정을 포함한다. p형 산화아연 산화물 반도체, 전이금속, 귀금속, 열처리
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1020030062237 (2003.09.05)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0588486-0000 (2006.06.02)
공개번호/일자 10-2005-0025210 (2005.03.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 임재홍 대한민국 광주광역시 북구
3 황대규 대한민국 광주광역시 북구
4 오진용 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2003-0334035-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0225045-21
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0377383-77
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0449277-57
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0520600-13
8 의견서
Written Opinion		 2005.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0588653-93
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0588652-47
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0634532-37
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0004014-27
12 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0129675-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화 알루미늄 기판 상부에 p형 아연 산화물층을 적층하는 과정;상기 p형 아연 산화물층 상부에 니켈(Ni), 망간(Mn), 코발트(Co), 철(Fe), 레늄(Re), 로듐(Rh), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 아연(Zn), 오스뮴(OS), 카드뮴(Cd), 수은(Hg)에서 선택되는 1종 이상의 금속이 포함되는 전이금속층을 적층하는 과정; 및상기 전이금속층 상부에 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 루세늄(Ru), 이리듐(Ir), 은(Ag)에서 선택되는 1종 이상의 금속이 포함되는 귀금속층을 적층하는 과정을 포함하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, p형 아연 산화물층은 아연 산화물 반도체에 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb), 비스무스(Bi), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn)에서 선택되는 1종 이상의 불순물이 산화물 형태로 포함되는 것을 특징으로 하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 전이금속층과 귀금속층은 인듐(In) 또는 InK, InZn, InLi 및 InNi 중 선택되는 1종의 인듐화합물이 물리기상증착 또는 화학기상증착 방법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
6 6
산화 알루미늄 기판 상부에 p형 아연 산화물층을 적층하는 과정; 및 상기 p형 아연 산화물층 상부에 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 망간(Mn), 레늄(Re), 코발트(Co), 로듐(Rh), 철(Fe), 루세늄(Ru), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 금(Au), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 오스뮴(OS), 은(Ag)에서 선택되는 1종 이상의 금속이 포함되는 것을 금속층을 적층하는 과정을 포함하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
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삭제
8 8
제 1항 또는 제 2항 또는 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전이금속층과 상기 전이금속층 상부에 귀금속층과 금속층의 두께는 각각 1~1,000㎚ 인 것을 특징으로 하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
9 9
제 1항 또는 제 2항 또는 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전이금속층, 상기 귀금속층, 상기 금속층은 100℃ ∼1200℃ 의 온도에서 1초∼3시간 동안 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
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제 1항 또는 제 2항 또는 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전이금속층, 상기 귀금속층, 상기 금속층은 100℃ ∼1200℃ 의 온도에서 1초∼3시간 동안 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 p형 아연 산화물 반도체의 오믹 접촉 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.