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ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 및 이에 적용되는ｐ-형 전극

  • 기술번호 : KST2015174591
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로서 특히 p-형 전극 및 이를 적용하는 III-V 족 화합물반도체에 관해 개시한다. 본 발명의 p-형 전극은 III-V족 질화물 화합물 반도체 층에 형성되는 것으로 아연에 용질 원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층; 상기 제 1 층 상부에 적층되는 것으로 Au로 된 제 2 층, 그리고 상기 제 1 층과 제 2 층의 사이에 마련되는 것으로 Ni, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층;을 포함한다. 아연계 p-형 전극은 우수한 전기, 광학 및 열적 특성을 나타내 보인다.GaN, 오믹콘택트, Zn, 중간층, Au
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020050115061 (2005.11.29)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0634553-0000 (2006.10.09)
공개번호/일자 10-2005-0118658 (2005.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20061016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2003-0075219 (2003.10.27)
관련 출원번호 1020030075219
심사청구여부/일자 Y (2005.11.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구
2 성태연 대한민국 광주광역시 북구
3 곽준섭 대한민국 경기도 화성군
4 송준오 대한민국 광주광역시 북구
5 임동석 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허분할출원서
Divisional Application of Patent		 2005.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0695966-55
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-5145141-44
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0109699-17
4 의견서
Written Opinion		 2006.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0285029-84
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0285031-76
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0455170-48
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
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번호 청구항
1 1
III-V족 질화물 화합물 반도체 층에 형성되는 것으로 아연에 용질 원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층; 상기 제 1 층 상부에 마련되는 금(Au)으로 형성된 제 2 층; 그리고 상기 제 1 층과 제 2 층의 사이에 마련되는 것으로 {Ni, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체의 전극
2 2
제 1 항에 있어서,제 1 층의 아연계 물질은 합금 및 고용체(solid solution) 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체의 전극
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 아연계 물질은 {Ni, Mg, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb, Ag} 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 용질 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체의 전극
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질 원소의 성분의 양은 0
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,제 1 층 및 제 2 층은 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 중간층은 0
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 층은 GaN 또는 AlxInyGazN (0〈x+y+z〈1) 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체의 전극
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제1층 및 제2층이 적어도 산소가 포함된 분위기에서 열처리된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 전극
9 9
발광을 위한 활성층을 포함하는 다중 적층에 의한 GaN계 화합물 반도체 층;상기 GaN계 화합물반도체 층 상에 형성되는 p-형 반도체 층;상기 p-형 반도체 층 상에 형성되는 것으로, 아연에 용질 원소가 포함된 아연계 물질에 의한 제 1 층, 상기 제 1 층 상부에 적층되는 것으로 Au에 의한 제 2 층, 그리고 상기 제 1 층과 제 2 층의 사이에 마련되는 것으로 {Ni, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Sn, Ge, Sb} 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질에 의한 중간층을 포함하는 p-형 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 층의 아연계 물질은 합금 및 고용체(solid solution) 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체
11 11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 아연계 물질은 {Ni, Mg, Co, Pd, Pt, Ru, Rh, Ir, Ta, Cr, Mn, Mo, Tc, W, Re, Fe, Sc, Ti, Sn, Ge, Sb} 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 용질 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체
12 12
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질 원소의 성분의 양은 0
13 13
제 11 항에 있어서,상기 아연계 물질에 포함되는 용질 원소의 성분의 양은 0
14 14
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,제 1 층 및 제 2 층은 0
15 15
제 9 항에 있어서,제 1 층, 제 2 층 및 이들 사이의 중간층은 0
16 16
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 반도체 층은 GaN 또는 AlxInyGazN (0〈x+y+z〈1) 인 것을 특징으로 하는 III - V 족 GaN계 화합물 반도체
17 17
제 9 항에 있어서,상기 전극층은 적어도 산소가 포함된 분위기에서 열처리된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.