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질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173909
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 멀티 오믹컨택트층이 순차적으로 적층되어 있고, 멀티 오믹컨택트층은 제1투명 박막층/은/제2투명 박막층으로 형성된다. 이러한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 투명전극이 갖는 높은 빛 투과성으로 인해 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030095957 (2003.12.24)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0580634-0000 (2006.05.09)
공개번호/일자 10-2005-0064500 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 송준오 대한민국 광주광역시북구
3 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0492878-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
3 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0395297-25
4 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0397028-18
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5142792-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068918-98
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0541135-66
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0705333-55
12 의견서
Written Opinion		 2005.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0705332-10
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0162638-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 다층으로 된 멀티 오믹컨택트층;을 구비하고, 상기 멀티 오믹컨택트층은 상기 p형 클래드층 위에 형성된 제1투명 박막층과; 상기 제1투명박막층 위에 은을 주성분으로 하여 형성된 금속층과; 상기 금속층 위에 형성된 제2투명 박막층;을 포함하며, 상기 제1투명 박막층 및 제2투명 박막층은 투명 산화물, 투명 질화물 및 투명 유전체 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 투명 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 바나듐(V), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 함유한 산화물이고, 상기 투명 질화물은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈늄(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 스칸디움(Sc) 중 적어도 하나 이상의 성분과 질소(N)로 형성된 것이고, 상기 투명 유전체는 ZnS, ZnTe, ZnSe, MgF2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 p형클래드층과 상기 제1투명 박막층 사이에 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 산화물, 고용체 중 어느 하나로 형성된 개질층:을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 투명 산화물은 상기 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 란탄(La) 계열 원소 중에서 적어도 하나 이상의 성분으로 형성된 산화물 인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 멀티 오믹컨택트층 상부에 은(Ag), 은 산화물(AgO2), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 루세늄(Ru), 타이타늄(Ti), 루세늄(Rh), 크롬(Cr), 백금(Pt) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 반사층 상부에 니켈(Ni), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 구리(Cu), 플라티늄(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 산화물, 고용체 또는 타이타늄 질화물(TiN) 중에서 어느 하나로 형성된 집괴 방지층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
8 8
제7항에 있어서, 상기 투명 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나 이상의 성분으로 형성된 산화물이고, 상기 투명 질화물은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈늄(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 스칸디움(Sc) 중 적어도 하나 이상의 성분과 질소(N)로 형성된 것이고, 상기 투명 유전체는 ZnS, ZnTe, ZnSe, MgF2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 제1투명 박막층 형성 단계 이전에 상기 p형클래드층 위에 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 루세늄(Ru) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 산화물, 고용체 중 어느 하나로 개질층을 형성하는 단계:를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
10 10
제6항 또는 제9항에 있어서, 상기 투명 산화물은 상기 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd), 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 란탄(La) 계열 원소 중에서 적어도 하나 이상의 성분으로 형성된 산화물인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 멀티 오믹컨택트층 상부에 은(Ag), 은 산화물(AgO2), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 루세늄(Ru), 타이타늄(Ti), 루세늄(Rh), 크롬(Cr), 백금(Pt) 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소로 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 반사층 상부에 니켈(Ni), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 구리(Cu), 플라티늄(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 산화물, 고용체 또는 타이타늄 질화물(TiN) 중에서 어느 하나로 집괴 방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
13 12
제11항에 있어서, 상기 반사층 상부에 니켈(Ni), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 구리(Cu), 플라티늄(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 산화물, 고용체 또는 타이타늄 질화물(TiN) 중에서 어느 하나로 집괴 방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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1 JP05084100 JP 일본 FAMILY
2 JP17191572 JP 일본 FAMILY
3 US07372081 US 미국 FAMILY
4 US20050139825 US 미국 FAMILY
5 US20080145962 US 미국 FAMILY

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1 CN100438092 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1638165 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2005191572 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5084100 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2005139825 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2008145962 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7372081 US 미국 DOCDBFAMILY
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