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질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174882
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 전도성 투명산화물 박막전극층을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 오믹컨택트층이 순차적으로 적층되어 있고, 오믹컨택트층은 p형 전도성 투명 산화물 박막으로 형성된다. 이러한 p형 전도성 투명 박막전극층을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 투명전극이 갖는 높은 빛 투과성으로 인해 소자의 발광효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030072056 (2003.10.16)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0571819-0000 (2006.04.11)
공개번호/일자 10-2005-0036379 (2005.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20060417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.16)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시북구
2 송준오 대한민국 광주광역시북구
3 임동석 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2003-0385210-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0395291-52
5 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0397023-80
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5142792-97
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053168-11
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0492579-85
12 의견서
Written Opinion		 2005.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0674921-75
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0674922-10
14 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0081772-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 산화물에 p형 도판트가 첨가되어 형성된 오믹컨택트층을 구비하고,상기 산화물은 BeO, CaO, SrO, BaO, CdO, ZnO, Be1-xZnxO, Zn1-xBaxO, Zn1-xCaxO, Zn1-xCdxO, Zn1-xSexO, Zn1-xSxO, Zn1-xTexO 중 선택된 어느 하나의 산화물이고,상기 p형도판트는 Li, Na, K, Rb, Cs, Cu, Ag, Au, V, Nb, Ta, Sb, Bi를 포함하는 제1도판트군 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 베릴륨 아연산화물이 적용되고, 상기 제1도판트군은 As를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화물에 대한 상기 p형 도판트의 첨가비는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 1 나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 n형 클래드층 하부에 기판이 형성되어 있고, 상기 기판은 사파이어, SiC, Si, GaAs 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt 원소 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 반사층은 100 나노미터 내지 2000나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
9 9
제7항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn, TiN 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 캡핑층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
10 10
제1항, 제7항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 삽입층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 삽입층은 1 나노미터 내지 5 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
12 12
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 인듐산화물에 p형 도판트가 첨가된 p형 인듐산화물로 형성된 오믹컨택트층;을 구비하고, 상기 p형도판트는 Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg를 포함하는 제2도판트군 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt 원소 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 반사층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 반사층은 100 나노미터 내지 2000나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
15 15
제13항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn, TiN 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 캡핑층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
16 16
제12항, 제13항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함하여 형성된 삽입층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
17 17
제16항에 있어서, 상기 삽입층은 1 나노미터 내지 5 나노미터의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
18 18
제12항에 있어서, 상기 인듐산화물에 대한 상기 p형도판트의 첨가비율은 0
19 19
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
20 20
제19항에 있어서, 상기 활성층은 InGaN/GaN MQW, AlGaN/GaN MQW 구조 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계에서 상기 산화물에 대한 상기 p형 도판트의 첨가비는 0
22 22
제19항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 1 나노미터 내지 1000나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
23 23
제19항에 있어서, 상기 오믹컨택트층은 전자빔 증착기, 스퍼터링, 레이저 증착기 중 어느 하나에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 오믹컨택트층의 증착온도는 20도 내지 1500도 범위내에서 수행되고, 증착기의 반응기 내의 압력은 대기압 내지 10-12 토르에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
25 25
제19항에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 오믹컨택트층 사이에 Ni, NixOy, Au, Pt, Pd, Mg, Cu, CuxOy, Zn, Ag, Sc, Co, CoxOy, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Re, Ti, Ta, Na, La 계열 원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하여 삽입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
26 26
제25항에 있어서, 상기 삽입층은 1 나노미터 내지 5나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
27 27
제19항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 위에 Ag, Al, Zn, Mg, Ru, Ti, Rh, Cr, Pt를 포함하는 원소 중 적어도 하나를 포함하여 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 반사층 위에 Ni, Pt, Pd, Zn, TiN 중 적어도 하나를 포함하여 캡핑층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
29 29
제28항에 있어서, 상기 반사층 및 캡핑층은 각각 100 나노미터 내지 2000나노미터의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
30 30
제19항에 있어서, 상기 열처리단계는 100도 내지 800도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
31 31
제30항에 있어서, 상기 열처리단계는 10초 내지 3시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
32 32
삭제
33 33
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
34 33
n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
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