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이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173949
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 질화막이 증착된 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 노광시키는 단계와; 포토레지스트에 요철부들이 형성되도록 소정영역을 제거하는 단계와; 경사 포토레지스트의 철부들에 금속 마스크를 증착하는 단계와; 질화막의 소정영역이 노출되도록 포토레지스트의 요부들을 제거하는 단계와; 결과물 상에 회절격자로 사용될 금속을 증착시키는 단계와; 리프트-오프 공정으로 포토레지스트의 철부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 포토레지스트를 노광시킨 후 일부를 제거하고 금속 마스크를 이용하여 나머지를 제거함으로써 리프트-오프 공정을 위하여 포토레지스트를 두껍게 형성하는 경우뿐만 아니라 포토레지스트가 불균일하게 도포된 경우에도 불필요한 부분을 완전히 균일하게 제거할 수 있어 재현성이 뛰어나고, 회절격자를 균일하게 형성할 수 있다. 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드, 릿지 타입, 회절격자, 포토레지스트, 경사증발법
Int. CL H01S 5/12 (2006.01)
CPC H01S 3/08009(2013.01) H01S 3/08009(2013.01) H01S 3/08009(2013.01)
출원번호/일자 1020040109438 (2004.12.21)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0637391-0000 (2006.10.16)
공개번호/일자 10-2006-0070810 (2006.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20061023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤상조 대한민국 광주 북구
2 이용탁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0602855-04
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2004.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5198459-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018213-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0222646-71
6 의견서
Written Opinion		 2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0432084-90
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0432093-01
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0597066-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 발광 활성층, 확산 차단층으로서의 질화막, 회절격자 및 p형 금속층과, 상기 기판 하부에 형성된 n형 금속층을 포함하여 이루어지는 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 질화막 상에 상기 회절격자를 형성하는 방법이:상기 질화막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와;상기 포토레지스트를 노광시키는 단계와;상기 포토레지스트에 요철부들이 형성되도록 소정영역을 제거하는 단계와;상기 기판의 일측부가 상향되도록 경사지게 하여 증발법으로 상기 포토레지스트의 철부들에 금속 마스크를 증착하는 단계와;상기 기판의 타측부가 상향되도록 경사지게 하여 증발법으로 상기 포토레지스트의 철부들에 상기 금속 마스크를 증착하는 단계와;상기 질화막의 소정영역이 노출되도록 상기 포토레지스트의 요부들을 제거하는 단계와;상기 포토레지스트의 철부들에는 상기 금속 마스크가 증착되고 상기 포토레지스트의 요부들은 제거된 상기 단계까지의 결과물 상에 회절격자로 사용될 금속을 증착시키는 단계와;리프트-오프 공정으로 상기 포토레지스트의 철부를 제거하는 단계를 포함하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 홀로그램 노광법 또는 전자빔 노광법을 이용하여 노광시키는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트의 요부는 이온 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 회절격자로 사용될 금속은 증발법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
5 4
제 1항에 있어서, 상기 회절격자로 사용될 금속은 증발법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.