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실리콘 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173940
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 실리콘 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 발광소자는 발광 영역의 상부표면에 요철이 형성된 실리콘 기판과, 상기 요철이 형성된 실리콘 기판 상에 형성되어 광을 발생시키는 실리콘 발광층과, 상기 실리콘 발광층 상에 형성되어 상기 실리콘 발광층으로 전자를 주입시키는 제1 금속층과, 상기 실리콘 기판 배면에 형성되어 상기 실리콘 기판으로 정공을 주입시키는 제2 금속층을 구비한다. 이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 실리콘 발광소자 및 그 제조방법은 실리콘 기판 표면에 요철을 형성함으로써 발광층과 금속층 사이의 면적을 증가시킬 수 있어 발광효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020040078688 (2004.10.04)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0693408-0000 (2007.03.05)
공개번호/일자 10-2004-0096871 (2004.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20070312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김백현 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 감령빌딩)(김영호국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0449354-30
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0249465-80
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0464570-62
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0543422-00
5 의견서
Written Opinion		 2006.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0543423-45
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0776794-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 영역의 상부표면에 불규칙한 요철이 형성된 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 요철과 대응하여 요철이 형성되고, 상기 실리콘 기판 상부에 형성되는 광을 발생시키는 실리콘 발광층;상기 실리콘 기판의 요철과 대응하여 요철이 형성되고, 실리콘 발광층 상부에 형성되어 상기 실리콘 발광층으로 전자를 주입시키는 제1 금속층과, 상기 실리콘 기판 배면에 형성되어 상기 실리콘 기판으로 정공을 주입시키는 제2 금속층을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 요철은 상기 실리콘 기판의 일부영역에 형성되고, 그 일부영역에 상기 실리콘 발광층과, 상기 제1 금속층이 적층되는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자
3 3
실리콘 기판의 발광 영역의 상부표면에 불규칙한 요철을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 요철과 대응하여 요철이 형성되도록 상기 실리콘 기판 상부에 광을 발생시키는 실리콘 발광층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 요철과 대응하여 요철이 형성되도록 실리콘 발광층 상부에 상기 실리콘 발광층으로 전자를 주입시키는 제1 금속층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판 배면에 상기 실리콘 기판으로 정공을 주입시키는 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 요철을 상기 실리콘 기판의 일부영역에 형성되고, 그 일부영역에 상기 실리콘 발광층과, 상기 제1 금속층이 적층되는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 요철은 실온이상의 온도에서 4 wt%이상의 농도에서 KOH용액에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 요철은 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), EDP(Ethylene diamine pyrochatecol) 중 어느 하나의 용액에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서,상기 실리콘 발광층의 두께는 20nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
8 7
제 3 항에 있어서,상기 실리콘 발광층의 두께는 20nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.