요약 | 스위칭 재현성 및 균일성이 향상된 저항변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자의 포밍방법이 개시되어 있다. 저항변화 메모리 소자는 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극을 포함한다. 또한, 포밍방법은 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극 구비하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계 및 저항 변화 메모리 소자를 화학적 포밍하여 이온 결함 필라멘트를 형성하는 단계를 포함한다. 화학적 포밍, 저항 변화 메모리 소자, 고체전해질 저항 변화막 |
---|---|
Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080093392 (2008.09.23) |
출원인 | 광주과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0986018-0000 (2010.09.30) |
공개번호/일자 | 10-2010-0034325 (2010.04.01) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20101006) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.09.23) |
심사청구항수 | 13 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 황현상 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 이동수 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668916-64 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0272947-42 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0551975-96 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0551970-68 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0424454-11 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상에 위치한 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 위치하고, 이온, 및 상기 이온과 대응하는 결함을 함유하는 고체전해질 저항 변화막; 및 상기 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극;을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 Ni막, Zr막, Nb막, Zn막, Cr막, Pt막, Co막, Mn막, Fe막, Al막, Mg막, Y막, Ti막, TiN막 또는 란탄계(Lanthanide) 금속막인 저항 변화 메모리 소자 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 Ni막, Zr막, Nb막, Zn막, Cr막, Pt막, Co막, Mn막, Fe막, Al막, Mg막, Y막, Ti막, TiN막 또는 란탄계(Lanthanide) 금속막인 저항 변화 메모리 소자 |
4 |
4 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 란탄계 금속막은 Sc막, La막, Ce막, Pr막, Nd막, Pm막, Eu막, Gd막, Tb막, Dy막, Ho막, Er막, Tm막, Yb막 또는 Lu막인 저항 변화 메모리 소자 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 이온은 산소, 구리 또는 은 이온인 저항 변화 메모리 소자 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 산소 이온을 함유하는 막은 Nb2O5막, V2O5막, NiO막, Cu2O막, SiO2막, ZrO2막, ZnO막, PrCaMnO3막, 또는 LaCaMnO3막인 저항 변화 메모리 소자 |
7 |
7 제5항에 있어서, 상기 구리 또는 은 이온을 함유하는 막은 Cu2S막, Ag2S막, AgSe막 또는 CuSe막인 저항 변화 메모리 소자 |
8 |
8 제1항에 있어서, 상기 고체전해질 저항 변화막은 금속을 도핑한 막인 저항 변화 메모리 소자 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 도핑 금속은 Y, Ca, Mg, Mn, Bi, Ce, N 또는 란탄계 금속인 저항 변화 메모리 소자 |
10 |
10 기판 상에 위치한 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 상기 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극 구비하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계; 및 상기 저항 변화 메모리 소자를 화학적 포밍하여 이온 결함 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법 |
11 |
11 제10항에 있어서, 상기 화학적 포밍은 열처리인 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법 |
12 |
12 제11항에 있어서, 상기 열처리는 400℃ 내지 1200℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법 |
13 |
13 제10항에 있어서, 상기 이온 결함 필라멘트는 댕글링 본드를 구비하는 저항 변화 메모리 소자의 포밍방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0986018-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080923 출원 번호 : 1020080093392 공고 연월일 : 20101006 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100927 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 저항 변화 메모리 소자 및 저항변화 메모리 소자의 포밍방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2010년 09월 30일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2013년 07월 10일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2014년 06월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2015년 07월 30일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 594,000 원 | 2016년 07월 12일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 415,800 원 | 2017년 06월 29일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 297,000 원 | 2018년 06월 25일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 477,500 원 | 2019년 07월 02일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 477,500 원 | 2020년 07월 08일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.09.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0668916-64 |
2 | 의견제출통지서 | 2010.06.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0272947-42 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0551975-96 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0551970-68 |
5 | 등록결정서 | 2010.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0424454-11 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345068992 |
---|---|
세부과제번호 | R0A-2008-000-20104-0 |
연구과제명 | 차세대비휘발성저항변화메모리(ReRAM)원천기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200806~201305 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345084797 |
---|---|
세부과제번호 | gist-08 |
연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200501~201412 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1415083949 |
---|---|
세부과제번호 | 10029943 |
연구과제명 | 고신뢰성ReRAM소자개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200408~201107 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345114511 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-0060067 |
연구과제명 | 차세대 비휘발성 저항 변화 메모리 (ReRAM) 원천 기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200806~201305 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415106941 |
---|---|
세부과제번호 | 10029943 |
연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200708~201107 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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