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내부 전극을 구비한 플라즈마 방전 클러스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014046755
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내부 전극을 구비한 플라즈마 방전 클러스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 방전 클러스터는 제1 기판의 배면 상부에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 기판의 전면을 식각하고, 식각된 상기 제1 기판의 전면 상부에 형성되는 형광체층; 및 제2 기판의 전면을 식각하고, 식각된 상기 제2 기판의 전면 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 기판의 전면과 상기 제2 기판의 전면이 봉착되어 방전가스가 주입된 방전공간이 형성될 수 있으며 바람직하게, 상기 제2 전극에 의한 불안정한 방전을 방지하기 위해, 상기 제2 전극 상부에 형성되는 유전체층을 더 포함할 수 있다. 내부전극, 플라즈마 방전 클러스터, 플렉시블(flexible), 백라이트 유닛(BLU), MgO
Int. CL H01J 61/82 (2006.01) H01J 61/06 (2006.01)
CPC H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01) H01J 11/36(2013.01)
출원번호/일자 1020090099633 (2009.10.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1077550-0000 (2011.10.21)
공개번호/일자 10-2011-0042798 (2011.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20111028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.20)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 김선호 대한민국 서울특별시 영등포구
3 이성의 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0640980-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065110-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0121139-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0324813-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0415562-21
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0415561-86
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0529861-10
9 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2011.10.21 수리 (Accepted) 2-1-2011-0247311-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판의 배면 상부에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 기판의 전면을 방전공간을 갖도록 식각하고, 식각된 상기 제1 기판의 전면 상부에 형성되는 형광체층; 및 제2 기판의 전면을 방전공간을 갖도록 식각하고, 식각된 상기 제2 기판의 전면 상부에 형성되는 제2 전극 을 포함하고, 상기 제1 기판의 전면과 상기 제2 기판의 전면이 봉착되어 방전가스가 주입된 방전공간이 형성되며, 봉착된 상기 제1 기판과 제2 기판이 고분자 기판 내부에 몰딩되어 플렉시브(flexible)한 하나의 단일 셀로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 전극에 의한 불안정한 방전을 방지하기 위해, 상기 제2 전극 상부에 형성되는 유전체층 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 방전공간 둘레가 원형으로 형성되도록 식각되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2 기판과 결합되어 상기 방전공간 내부에 형성된 상기 제2 전극을 외부 전원과 연결하기 위한 연결 수단 을 더 포함하는 플라즈마 방전 클러스터
5 5
제2항에 있어서, 상기 유전체층은 E-Beam 증착법에 의해 형성되는 MgO 층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터
6 6
제1 기판의 배면 상부에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 기판의 전면을 방전공간을 갖도록 식각하고, 식각된 상기 제1 기판의 전면 상부에 형광체층을 형성하는 단계; 제2 기판의 전면을 방전공간을 갖도록 식각하고, 식각된 상기 제2 기판의 전면 상부에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극이 방전공간 내부에 형성되도록 상기 제1 기판의 전면과 상기 제2 기판의 전면을 봉착하는 단계; 및 봉착된 상기 제1 기판과 제2 기판을 고분자로 몰딩하여 플렉시브(flexible)한 하나의 단위 셀로 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계 후, 상기 제2 전극에 의한 불안정한 방전을 방지하도록, 상기 제2 전극 상부에 유전체층을 형성하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 방전공간 둘레가 원형으로 형성되도록 식각되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 봉착하는 단계 이전 또는 이후에 상기 제2 전극을 외부 전원과 연결하기 위한 연결 수단을 상기 제2 기판과 결합하는 단계 를 더 포함하는 플라즈마 방전 클러스터 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 단계는 E-Beam 증착법을 이용하여 상기 제2 전극 상부에 MgO 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전 클러스터 제조 방법
11 11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
12 12
청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.