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습도 센서, 습도 센싱 방법 및 이를 위한 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015115481
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 습도 센서는 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층, 및 상기 절연층상에 형성된 게이트를 포함하는 트랜지스터; 상기 게이트에 전하를 충전하는 하는 충전기; 및 상기 게이트에 전하를 충전한 후 소정 시간 동안 상기 트랜지스터의 드레인 전류의 변화량을 측정하는 측정기를 포함한다.
Int. CL G01N 27/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110032135 (2011.04.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1322354-0000 (2013.10.21)
공개번호/일자 10-2012-0114554 (2012.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20131025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.07)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
2 양현호 대한민국 대전광역시 유성구
3 송석호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0253519-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0654519-43
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1087565-76
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1087566-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0374224-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0690926-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0690924-53
9 등록결정서
Decision to grant
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0596463-70
10 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2013.10.21 수리 (Accepted) 2-1-2013-0551893-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층, 및 상기 절연층상에 형성된 게이트를 포함하는 트랜지스터; 상기 게이트에 전하를 충전하는 하는 충전기; 및 상기 게이트에 전하를 충전한 후 소정 시간 동안 상기 트랜지스터의 드레인 전류의 변화량을 측정하는 측정기를 포함하는 습도 센서
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 충전기는 MEMS 스위치인 것을 특징으로 하는 습도 센서
6 6
제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 트랜지스터 상에 상기 게이트, 상기 소스 및 상기 드레인을 덮는 소수성층; 및 상기 소수성층에 형성된 관통홀을 통해 상기 게이트와 연결되고 상기 소수성층상에 형성된 전도성 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
7 7
제6항에 있어서, 상기 소수성층은 실리콘 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
8 8
제6항에 있어서, 상기 전도성 물질층은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
9 9
제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 소스 및 상기 드레인을 덮도록 상기 소스 및 상기 드레인 상에 형성되고 상기 게이트의 측면을 둘러싸는 친수성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
10 10
제9항에 있어서, 상기 친수성층은 SiO2 또는 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
11 11
제6항에 있어서, 상기 소수성층을 덮도록 상기 소수성층 상에 형성되고 상기 전도성 물질층을 둘러싸는 친수성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
12 12
제11항에 있어서, 상기 친수성층은 SiO2 또는 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서
13 13
삭제
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
16 16
청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
17 17
청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
18 18
기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인;상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층;상기 절연층상에 형성된 게이트;상기 게이트, 상기 소스 및 상기 드레인을 덮는 소수성층; 및 상기 소수성층에 형성된 관통홀을 통해 상기 게이트와 연결되고 상기 소수성층상에 형성된 전도성 물질층을 포함하는 습도 센싱용 트랜지스터
19 19
제18항에 있어서, 상기 소수성층은 실리콘 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센싱용 트랜지스터
20 20
제18항에 있어서, 상기 전도성 물질층은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센싱용 트랜지스터
21 21
제18 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성층을 덮도록 상기 소수성층 상에 형성되고 상기 전도성 물질층을 둘러싸는 친수성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센싱용 트랜지스터
22 22
제21항에 있어서, 상기 친수성층은 SiO2 또는 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센싱용 트랜지스터
23 23
청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09664630 US 미국 FAMILY
2 US20140298904 US 미국 FAMILY
3 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014298904 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9664630 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2012138054 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.