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입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체 및 이의 합성방법

  • 기술번호 : KST2015113398
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체 및 이의 합성 방법에 관한 것으로서, 아연을 포함하는 입체 구조체 또는 결정을 산화시켜 상기 입체 구조체 또는 결정의 표면에 산화아연막을 형성하는 산화 단계; 상기 산화아연막이 형성된 입체 구조체 또는 결정을 염기성 용액에 침지시켜 상기 산화아연막 상에 시드를 형성하는 전처리 단계; 및 상기 시드가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 염기성 용액에 아민계 화합물을 첨가한 혼합용액 속에 침지시키고, 아연을 재료로 수열합성하여 상기 시드 상에 산화아연 미세 구조를 성장시키는 수열합성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법 및 이에 의해 합성된 산화아연 미세 구조체이며, 이와 같은 본 발명에 의하면, 간단한 공정으로 대량 생산에도 적합하고 낮은 온도로 제작이 가능하며, 입체 구조체 혹은 결정 표면에 원하는 형상, 길이, 직경을 가지는 미세구조를 선택적으로 성장시킬 수 있다. 산화아연, 황화아연, 3차원 입체구조, 수열합성, 미세 구조.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/368 (2006.01) H01L 21/36 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090024739 (2009.03.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1068402-0000 (2011.09.22)
공개번호/일자 10-2010-0106667 (2010.10.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.24)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 최경철 대한민국 대전광역시 유성구
3 이성의 대한민국 경기도 시흥시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0175838-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0020673-84
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0167525-46
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0167526-92
5 등록결정서
Decision to grant
2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0496262-18
6 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2011.09.22 수리 (Accepted) 2-1-2011-0220180-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연을 포함하는 입체 구조체 또는 결정을 산화시켜 상기 입체 구조체 또는 결정의 표면에 산화아연막을 형성하는 산화 단계; 상기 산화아연막이 형성된 입체 구조체 또는 결정을 염기성 용액에 침지시켜 상기 산화아연막 상에 시드를 형성하는 전처리 단계; 및 상기 시드가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 염기성 용액에 아민계 화합물을 첨가한 혼합용액 속에 침지시키고, 아연을 재료로 수열합성하여 상기 시드 상에 산화아연 미세 구조를 성장시키는 수열합성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전처리 단계는, 10몰의 수산화나트륨과 에탄올 또는 메탄올의 중량비가 1:10이 되는 염기성 용액을 준비하는 단계; 및 상기 염기성 용액에 상기 산화아연막이 형성된 입체 구조체 또는 입자를 침지시키고 일정시간동안 교반시켜 상기 산화아연막 상에 시드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 수열합성 단계는, 상기 전처리 단계를 거친 염기성 용액에 중량비가 1:1이 되도록 에틸렌디아민을 첨가하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액에 상기 시드가 형성된 입체 구조체 또는 결정이 침지된 상태에서 수열반응기에서 소성시켜 상기 시드 상에 산화아연 미세 구조를 성장시키는 단계; 및 상기 산화아연 미세 구조가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 세척하고 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 수열합성 단계는, 상기 시드가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 여과추출하여 건조시키는 단계; 에틸렌디아민, 10몰의 수산화나트륨 및 에탄올 또는 메탄올의 중량비가 1:1:10이 되는 혼합용액을 준비하는 단계; 상기 시드가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 상기 혼합용액에 침지시키고, 수열반응기에서 소성시켜 상기 시드 상에 산화아연 미세 구조를 성장시키는 단계; 및 상기 산화아연 미세 구조가 형성된 입체 구조체 또는 결정을 세척하고 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 단계는, 황화아연 입자로 형성된 결정을 이용하며, 상기 황화아연 입자를 산화시켜 상기 황화아연 입자의 표면에 산화아연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 단계는, 황화아연막으로 둘러싸인 입체 구조체를 이용하며, 상기 황화아연막을 산화시켜 상기 입체 구조체 표면에 산화아연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 입체 구조체는, 알루미나, 지르코니아, 실리카, 티탄산화물 중 선택되는 어느 하나의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
8 8
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 단계는, 금속아연 볼 또는 다각형의 아연금속 입체 구조체의 표면을 산화시켜, 상기 금속아연 볼 또는 다각형의 아연금속 입체 구조체의 표면에 산화아연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
9 9
제 3 항에 있어서, 상기 수열합성 단계는, 상기 전처리 단계 중 산화아연막에서 식각된 아연을 재료로 이용하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
제 5 항에 있어서, 상기 황화아연은, 전이금속 또는 이온을 함유하여 광학적 특성을 보유한 것을 특징으로 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전처리 단계의 침지시간을 조절하여 성장될 산화아연 미세 구조의 배향성을 선택하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 전처리 단계는, 상기 산화아연막의 두께 1㎛ 당 12시간의 비율로 상기 입체 구조체 또는 결정을 염기성 용액 내에 침지시키되, 그 침지시간은 최대 20시간이내인 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
14 14
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 수열합성 단계는, 상기 수열반응기에서 200℃ 이내에서 3~20시간 동안 소성을 수행하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 산화단계는, 상기 아연을 포함하는 입체 구조체 또는 결정을 500~600℃이내로 10~60분간 공기중에서 산화시켜 상기 산화아연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체의 합성방법
16 16
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 산화아연 미세 구조체의 합성방법을 이용하여 3차원의 입체 구조체 또는 결정위에서 성장된 산화아연 입체 미세 구조체인 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 산화아연 입체 미세 구조체는, 상기 입체 구조체 또는 결정 위에서 막대형상으로 성장된 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 산화아연 입체 미세 구조체는, 상기 입체 구조체 또는 결정 위에서 방사형태의 꽃잎형상으로 성장된 것을 특징으로 하는 입체 구조 위에 형성된 산화아연 미세 구조체
19 19
청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.