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저잡음 증폭기 및 무선수신기

  • 기술번호 : KST2014047217
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터를 사용하여 입력 임피던스 매칭과 최적 노이즈 매칭을 동시에 달성하고, 트랜지스터의 바디 바이어스법(body biasing)과 상보적 중첩법(complementary superposition)을 통해서 잡음 특성 및 선형성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 저잡음 증폭기에 관한 것으로, 본 발명의 저잡음 증폭기는 SAW 제거 수신기에 유리하게 적용될 수 있다.
Int. CL H04B 1/16 (2006.01) H03F 1/26 (2006.01)
CPC H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020110006022 (2011.01.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1123211-0000 (2012.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.20)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이귀로 대한민국 대전광역시 유성구
2 김범겸 대한민국 대전광역시 서구
3 임동구 대한민국 대전광역시 유성구
4 최재영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0048953-61
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0008974-86
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0084246-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0737568-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0038728-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0038725-13
7 등록결정서
Decision to grant
2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0100121-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상보적 공통 소스 증폭기(complementary common source amplifier) 구조를 갖는 제1 NMOS 트랜지스터 및 제1 PMOS 트랜지스터, 상기 제1 NMOS 트랜지스터와; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 사이에 병렬로 접속되어 상기 양자의 트랜지스터에 바이어스를 스스로 생성하는 피드백 형태의 저항과, 상기 양자의 트랜지스터의 바디에 각각 연결된 바이어스 저항으로 구성되는 제1 주 트랜지스터부; 상기 제1 주 트랜지스터부의 상기 양자의 트랜지스터에 병렬로 접속된 트랜지스터들을 구비하는 제1 보조 트랜지스터부; 및 상기 제1 주 트랜지스터부 및 상기 제1 보조 트랜지스터부의 출력단에 공동으로 연결되는 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 보조 트랜지스터부는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스 및 드레인이 병렬로 접속된 제2 PMOS 트랜지스터; 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 후단에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터에 병렬로 접속된 제3 PMOS 트랜지스터; 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스 및 드레인이 병렬로 접속된 제2 NMOS 트랜지스터;상기 제2 NMOS 트랜지스터의 후단에 연결되고, 제1 NMOS 트랜지스터 및 제2 NMOS 트랜지스터에 병렬로 접속된 제3 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 보조 트랜지스터부의 상기 제2 및 제3 PMOS 트랜지스터 및 제2 및 제3 NMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제1 주 트랜지스터부의 트랜지스터들의 게이트들과 AC 커플링 캐패시터를 통해서 병렬로 연결되고, 상기 모든 보조 트랜지스터들의 게이트에는 바이어스 저항이 각각 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 보조 트랜지스터부는 상기 제2 및 제3 PMOS 트랜지스터 및 제2 및 제3 NMOS 트랜지스터 이외에 하나 이상의 보조 트랜지스터들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 보조 트랜지스터부는 제2 PMOS 트랜지스터, 제3 PMOS 트랜지스터, 제2 NMOS 트랜지스터 및 제3 NMOS 트랜지스터의 바이어스 전압을 조절하여 입력 전압의 크기에 따라서 선형적인 출력 전류가 생성되도록 하여, 입력 신호에 의한 선형성 저하를 방지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
6 6
제1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 선형화된 상보적 공통 게이트 증폭기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
7 7
제6항에 있어서, 상기 선형화된 상보적 공통 게이트 증폭기는상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결된 제4 NMOS 트랜지스터와 제4 PMOS 트랜지스터로 구성되는 제2 주 트랜지스터부; 및 상기 제2 주 트랜지스터부에 연결된, 제5 NMOS 트랜지스터와 제5 PMOS 트랜지스터로 구성되는 제2 보조 트랜지스터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2 주 트랜지스터부는 각각 소스가 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되고 각각의 드레인은 공진기 회로에 연결된 제4 NMOS 트랜지스터와 제4 PMOS 트랜지스터; 및 상기 제4 NMOS 트랜지스터와 제4 PMOS 트랜지스터의 게이트에 각각 연결된 바이어스를 인가하는 저항들을 포함하고;상기 제4 NMOS 트랜지스터 및 상기 제4 PMOS 트랜지스터의 게이트는 각각의 AC 커플링 캐패시터를 통해 접지로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
9 9
제7항에 있어서, 상기 제2 보조 트랜지스터부는 소스가 상기 제2 주 트랜지스터의 공통 소스에 연결되고, 드레인은 상기 제4 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제5 NMOS 트랜지스터와; 소스가 상기 제2 주 트랜지스터의 공통 소스에 연결되고, 드레인은 상기 제4 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되는 제5 PMOS 트랜지스터를 포함하고; 및 상기 제5 NMOS 트랜지스터 및 제5 PMOS 트랜지스터는 각각 게이트가 AC 커플링 캐패시터를 통해 접지로 연결되고, 또한 바이어스 저항이 각각 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제5 NMOS 트랜지스터 및 제5 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 제2 주 트랜지스터부의 제4 NMOS 트랜지스터 및 제4 PMOS 트랜지스터의 드레인에 PMOS 트랜지스터 끼리, NMOS 트랜지스터 끼리 연결되어 있고 여기에 각각의 AC 커플링 캐패시터가 공통 출력으로 연결되어 PMOS 트랜지스터의 드레인 전류와 NMOS의 트랜지스터의 드레인 전류가 합하여져 출력되도록 구성된 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
11 11
제1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 트랜스포머 또는 LC 네트워크를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
12 12
제11항에 있어서, 상기 LC 네트워크는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 인덕터와 일단이 상기 인덕터에 연결되고 타단이 접지에 접속되는 캐패시터로 구성되고 인덕터와 캐패시터가 접속되는 노드가 출력단과 접속되도록 구성되거나, 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 캐패시터와 일단이 상기 캐패시터에 접속되고 타단이 접지에 접속되는 인덕터로 구성되고 캐패시터와 인덕터가 접속되는 노드가 출력단과 접속되도록 구성되는 것임을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
13 13
무선 수신기에 있어서, 입력 무선 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기 회로; 상기 저잡음 증폭기 회로의 출력 신호의 주파수를 하향 변환하는 믹서; 상기 믹서의 출력 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 컨버터; 및 상기 디지털 신호로부터 데이터를 복원하는 디지털 신호 처리기를 구비하며, 상기 저잡음 증폭기 회로는 상보적 공통 소스 증폭기 구조를 갖는 제1 NMOS 트랜지스터 및 제1 PMOS 트랜지스터, 상기 제1 NMOS 트랜지스터와 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 사이에 병렬로 접속되어 상기 양자의 트랜지스터에 바이어스를 스스로 생성하는 피드백 형태의 저항과, 상기 양자의 트랜지스터의 바디에 각각 연결된 바이어스 저항으로 구성되는 제1 주 트랜지스터부; 상기 제1 주 트랜지스터부의 상기 양자의 트랜지스터에 병렬로 접속된 트랜지스터들을 구비하는 제1 보조 트랜지스터부; 및 상기 제1 주 트랜지스터부 및 상기 제1 보조 트랜지스터부의 출력단에 공동으로 연결되는 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 수신기(radio receiver)
14 14
제13항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기의 상기 제1 보조 트랜지스터부는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스 및 드레인이 병렬로 접속된 제2 PMOS 트랜지스터;상기 제2 PMOS 트랜지스터의 후단에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터에 병렬로 접속된 제3 PMOS 트랜지스터;상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스 및 드레인이 병렬로 접속된 제2 NMOS 트랜지스터; 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 후단에 연결되고, 상기 제1 NMOS 트랜지스터 및 제2 NMOS 트랜지스터에 병렬로 접속된 제3 NMOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 및 제3 PMOS 트랜지스터 및 제2 및 제3 NMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제1 주 트랜지스터부의 트랜지스터들의 게이트들과 AC 커플링 캐패시터를 통해서 병렬로 연결되고, 상기 모든 보조 트랜지스터들의 게이트에는 바이어스 저항이 각각 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 수신기
15 15
제13항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)에 연결되는 선형화된 상보적 공통 게이트 증폭기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 수신기
16 16
제15항에 있어서, 상기 선형화된 상보적 공통 게이트 증폭기는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결된 제4 NMOS 트랜지스터와 제4 PMOS 트랜지스터로 구성되는 상보적 공통 게이트 증폭기 구조의 제2 주 트랜지스터부; 및 상기 제2 주 트랜지스터부에 연결된, 제5 NMOS 트랜지스터와 제5 PMOS 트랜지스터로 구성되는 제2 보조 트랜지스터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 수신기
17 17
제13항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 트랜스포머 또는 LC 네트워크를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 수신기
18 18
제17항에 있어서, 상기 LC 네트워크는 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 인덕터와 일단이 상기 인덕터에 연결되고 타단이 접지에 접속되는 캐패시터로 구성되고 인덕터와 캐패시터가 접속되는 노드가 출력단과 접속되도록 구성되거나, 상기 최적 노이즈와 입력 임피던스의 동시 정합용 캐패시터(CL)의 출력단에 연결되는 캐패시터와 일단이 상기 캐패시터에 접속되고 타단이 접지에 접속되는 인덕터로 구성되고 캐패시터와 인덕터가 접속되는 노드가 출력단과 접속되도록 구성되는 것임을 특징으로 하는 무선 수신기
19 19
제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항의 저잡음 증폭기를 포함하는 전자소자(electronic device)
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1 교육과학기술부 한국과학기술원 기초과학연구사업 SAW 듀플렉서 및 여파기가 모두 제거된 이동통신 단말용 SDR 수신기의 단일 CMOS 칩 구현