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유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117369
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법은 게이트상에 형성된 베이스 게이트 유전층; 상기 베이스 게이트 유전층 상에 위치한 소수성층을 사이에 두고 상기 베이스 게이트 유전층 상에 형성된 소스 및 드레인; 및 상기 소스 및 드레인, 그리고 상기 소수성층 상에 형성된 유기 반도체층을 포함하며, 상기 베이스 게이트 유전층과 상기 소수성층은 이층형 게이트 유전층을 구성한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0529(2013.01) H01L 51/0529(2013.01) H01L 51/0529(2013.01) H01L 51/0529(2013.01)
출원번호/일자 1020110140896 (2011.12.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1363255-0000 (2014.02.06)
공개번호/일자 10-2013-0073183 (2013.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승협 대한민국 대전광역시 유성구
2 문한얼 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1026693-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0420104-78
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0748359-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0749958-66
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0748358-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0876507-81
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.01.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0054133-49
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0079624-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트상에 형성된 베이스 게이트 유전층;상기 베이스 게이트 유전층 상에 패턴화된 소수성층이 형성되고, 상기 소수성층에 의해 덮이지 않은 상기 베이스 게이트 유전층 상에 형성된 소스 및 드레인; 및 상기 소스 및 드레인, 그리고 상기 소수성층 상에 형성된 유기 반도체층을 포함하며,상기 베이스 게이트 유전층과 상기 소수성층은 이층형 게이트 유전층을 구성하고,상기 소수성층은 사이톱(cytop)으로 이루어진, 유기 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 각각은 적층된 2개의 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 2개의 박막층은 제1박막층과 제2박막층을 포함하며, 상기 제1박막층의 전기 전도성은 상기 제2박막층의 전기 전도성보다 높고, 상기 제2박막층의 전자 또는 정공 주입 능력은 상기 제1박막층의 전자 또는 정공 주입 능력보다 높은 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
게이트상에 베이스 게이트 유전층을 형성하는 단계;상기 베이스 게이트 유전층 상에 패턴화된 소수성층을 형성하는 단계;상기 소수성층에 의해 덮이지 않은, 상기 베이스 게이트 유전층 상에 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 소스 및 드레인, 그리고 상기 소수성층 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 베이스 게이트 유전층과 상기 소수성층은 이층형 게이트 유전층을 구성하고,상기 소수성층은 사이톱을 포함하는, 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 소수성층을 형성하는 단계는 포토리소그래피, 플라즈마 에칭 또는 인쇄 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계는:선택적 젖음 현상을 통해 상기 베이스 게이트 유전층상의 친수성 표면에만 제1박막층을 형성하는 단계; 및 선택적 젖음 현상을 통해 상기 제1박막층 상에 제2박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계는 딥코팅, 스핀코팅 또는 잉크젯 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.